公开(公告)号：CN102017089A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115582.5

申请日：2009-04-06

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： S·M·李 ,  Y-w·李 ,  谢美晔 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。

公开(公告)号：CN101690420A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德

IPC: H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C16/45523

Abstract: 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

公开(公告)号：CN101431046A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169680.4

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  任康树 ,  梅休尔·内克 ,  崔振江 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  夏立群

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：CN101208783A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN101416293B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M'沙德

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。

公开(公告)号：CN101595559A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

Abstract: 本文提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应、沉积含成孔剂的材料、以及移除至少一部分的含成孔剂的材料、通过供应成孔剂的前驱物反应沉积有机层至多孔的低介电常数层上、在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构、将导电材料填入特征界定结构、沉积屏蔽层至有机层和特征界定结构内的导电材料上、在屏蔽层中形成穿孔以露出有机层、透过穿孔移除部分或全部的有机层、以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN100550318C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710165142.3

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 徐惠文 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  阿米尔·阿尔-巴亚提 ,  德里克·威蒂 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。

公开(公告)号：CN101419915A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810169676.8

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 许惠雯 ,  刘宜君 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/22

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C23C16/22 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅－碳键和碳－碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳－碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳－碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。

公开(公告)号：CN100477115C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580034510.X

申请日：2005-08-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 迪内士·帕德希 ,  朴贤秀 ,  甘恩士·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·威蒂 ,  希姆·M’萨德

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供了一种在下垫层上形成梯度介电层的方法，该方法包含通过一包含一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、含氧气体及载气的气体混合，以形成此梯度介电层的富含氧化物部分，其中含硅碳气体具有初始流速；以一高于初始流速的第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间；以及以一高于第一中间流速的最快流速导入含硅碳气体，以形成梯度介电层中富含碳部分。

公开(公告)号：CN101065835A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580034510.X

申请日：2005-08-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 迪内士·帕德希 ,  朴贤秀 ,  甘恩士·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·威蒂 ,  希姆·M’萨德

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供了一种在下垫层上形成梯度介电层的方法，该方法包含通过一包含一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、含氧气体及载气的气体混合，以形成此梯度介电层的富含氧化物部分，其中含硅碳气体具有初始流速；以一高于初始流速的第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间；以及以一高于第一中间流速的最快流速导入含硅碳气体，以形成梯度介电层中富含碳部分。