公开(公告)号：CN102017089A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115582.5

申请日：2009-04-06

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： S·M·李 ,  Y-w·李 ,  谢美晔 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

摘要： 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。

公开(公告)号：CN101690420A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德

IPC分类号： H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC分类号： C23C16/342 ,  C23C16/45523

摘要： 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

公开(公告)号：CN101431046A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169680.4

申请日：2008-10-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  任康树 ,  梅休尔·内克 ,  崔振江 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  夏立群

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

摘要： 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：CN101208783A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

摘要： 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN101595559B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN102017081A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114768.9

申请日：2009-04-02

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 米哈拉·鲍尔西努 ,  克里斯多佛·丹尼斯·本彻 ,  咏梅·陈 ,  伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  立岩·苗 ,  维克多·恩古源

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： 本发明提供一种方法和设备来形成邻接基板结构的间隔物材料。在一实施方式中，提供一种处理基板的方法，包括将一具有邻接基板表面的基板结构的基板放到沉积腔室内、沉积间隔层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔层而露出基板结构和部分基板表面，其中间隔层被设置邻接基板结构。间隔层可包含氮化硼材料。间隔层可包含基底间隔层和衬底层，间隔层可以二步骤的蚀刻工艺蚀刻。

公开(公告)号：CN101431047B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810169685.7

申请日：2008-10-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 夏立群 ,  许惠雯 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76831 ,  C23C16/325 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

摘要： 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。

公开(公告)号：CN101416293A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M''沙德

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。

公开(公告)号：CN101416293B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M'沙德

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。

公开(公告)号：CN101595559A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： 本文提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应、沉积含成孔剂的材料、以及移除至少一部分的含成孔剂的材料、通过供应成孔剂的前驱物反应沉积有机层至多孔的低介电常数层上、在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构、将导电材料填入特征界定结构、沉积屏蔽层至有机层和特征界定结构内的导电材料上、在屏蔽层中形成穿孔以露出有机层、透过穿孔移除部分或全部的有机层、以及在导电材料旁形成空隙。