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公开(公告)号：CN101202227A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710165142.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。
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公开(公告)号：CN101316945A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044540.3
申请日：2006-12-08
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 桑·H·安 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 希姆·M·萨德
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/401 , C08J7/065 , C08J7/08 , C08J7/12 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/3105 , H01L21/31633
Abstract: 本发明的实施方式提供一种用于在腔室的衬底上由包括两种有机硅化合物的混合物沉积低介电常数薄膜的方法。该混合物包括碳氢化合物和氧化气体。第一有机硅化合物中每个Si原子具有一个或多个Si－C键的平均数。第二有机硅化合物中每个Si原子具有Si－C键的平均数，该平均数大于第一有机硅化合物中每个Si原子的Si－C键平均数。该低介电常数薄膜具有良好的等离子体/湿刻损伤抵抗性、良好的机械性能和期望的介电常数。
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公开(公告)号：CN101093786A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710087479.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 托马斯·诺瓦克 , 戴尔·R·杜·博伊斯 , 萨尼夫·巴鲁贾 , 斯科特·A·亨德里克森 , 达斯廷·W·胡 , 安德兹·卡祖巴 , 汤姆·K·乔 , 希姆·M·萨德 , 恩德卡·O·米科蒂
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC classification number: B05D3/067 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , F26B3/28 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及一种用于固化沉积于衬底上的介电材料的紫外固化腔室以及利用紫外辐射固化介电材料的方法。根据本发明实施方式的一种衬底处理设备包括限定衬底处理区的主体；在所述衬底处理区内支撑衬底的衬底支架；与所述衬底支架间隔设置的紫外辐射灯，所述灯设计用于向位于所述衬底支架上的衬底传播紫外辐射；以及运转耦合的电机使所述紫外辐射灯或衬底支架的至少其中之一相对彼此旋转至少180度。所述衬底处理设备还可包括一个或多个反射器，其用于在衬底上产生紫外辐射的泛光图案，所述图案具有高亮度区域和低亮度区域，当旋转时，所述区域结合而产生基本均匀的辐射图案。在本发明中还公开了其他实施方式。
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公开(公告)号：CN102134708A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010539230.7
申请日：2010-10-28
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 达斯廷·W·胡 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 希姆·M·萨德
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/4481 , C23C16/52
Abstract: 一种用于在基板处理设备中过滤流体的过滤器包括彼此连接的第一级和第二级。一种输送系统给过滤器提供流体。所述过滤器的第一级含有碱性化合物，所述过滤器的第二级含有干燥剂。第二过滤器包括具有用于过滤流体的渗透膜的渗透过滤器。还描述了用所述过滤器过滤流体的方法，以减少处理设备中不期望的处理残渣的形成。
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公开(公告)号：CN101093786B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710087479.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 托马斯·诺瓦克 , 戴尔·R·杜·博伊斯 , 萨尼夫·巴鲁贾 , 斯科特·A·亨德里克森 , 达斯廷·W·胡 , 安德兹·卡祖巴 , 汤姆·K·乔 , 希姆·M·萨德 , 恩德卡·O·米科蒂
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC classification number: B05D3/067 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , F26B3/28 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及一种用于固化沉积于衬底上的介电材料的紫外固化腔室以及利用紫外辐射固化介电材料的方法。根据本发明实施方式的一种衬底处理设备包括限定衬底处理区的主体；在所述衬底处理区内支撑衬底的衬底支架；与所述衬底支架间隔设置的紫外辐射灯，所述灯设计用于向位于所述衬底支架上的衬底传播紫外辐射；以及运转耦合的电机使所述紫外辐射灯或衬底支架的至少其中之一相对彼此旋转至少180度。所述衬底处理设备还可包括一个或多个反射器，其用于在衬底上产生紫外辐射的泛光图案，所述图案具有高亮度区域和低亮度区域，当旋转时，所述区域结合而产生基本均匀的辐射图案。在本发明中还公开了其他实施方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101205607A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710165143.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/02167 , H01L21/0206 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供一种用于形成具有压应力的碳掺杂氮化硅层的方法。该方法包括形成初始层和该初始层上的体层，其中体层的压应力在大约－0.1GPa至约－10GPa之间。初始层由包括含硅和碳的前驱物以及选择性地包括氮和/或氧源但不包括氢气的气体混合物沉积。体层由包括含硅和碳的前驱物、氮源以及氢气的气体混合物沉积。初始层是允许体层的压应力良好地通过传输到底层的薄层，例如晶体管的沟道。
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公开(公告)号：CN102136411A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010534873.2
申请日：2007-03-19
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 托马斯·诺瓦克 , 戴尔·R·杜·博伊斯 , 萨尼夫·巴鲁贾 , 斯科特·A·亨德里克森 , 达斯廷·W·胡 , 安德兹·卡祖巴 , 汤姆·K·乔 , 希姆·M·萨德 , 恩德卡·O·米科蒂
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC classification number: B05D3/067 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , F26B3/28 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及一种用于固化沉积于衬底上的介电材料的紫外固化腔室以及利用紫外辐射固化介电材料的方法。根据本发明实施方式的一种衬底处理设备包括限定衬底处理区的主体；在所述衬底处理区内支撑衬底的衬底支架；与所述衬底支架间隔设置的紫外辐射灯，所述灯设计用于向位于所述衬底支架上的衬底传播紫外辐射；以及运转耦合的电机使所述紫外辐射灯或衬底支架的至少其中之一相对彼此旋转至少180度。所述衬底处理设备还可包括一个或多个反射器，其用于在衬底上产生紫外辐射的泛光图案，所述图案具有高亮度区域和低亮度区域，当旋转时，所述区域结合而产生基本均匀的辐射图案。在本发明中还公开了其他实施方式。
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公开(公告)号：CN101978474A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109820.1
申请日：2009-01-26
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 马克·A·福多尔 , 戴尔·R·杜波依斯 , 阿米特·班塞尔 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃勒·Y·朱科 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 希姆·M·萨德
IPC: H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/30 , H05H1/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。
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公开(公告)号：CN100550318C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710165142.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。
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公开(公告)号：CN101331597A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046808.7
申请日：2006-12-13
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/7846 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L29/66825 , H01L29/7883
Abstract: 本发明公开了一种存储单元。该存储单元包括p掺杂衬底，在该衬底上具有一对间隔分开的n掺杂区域，所述n掺杂区域形成围绕沟道的源极和漏极。位于沟道上的叠层顺序地包括(i)隧道氧化物层，(ii)浮栅，(iii)栅极间电介质，以及(iv)控制栅。多晶硅层位于源极和漏极上。覆盖该叠层的覆盖层包括间隔垫层和前金属沉积层。可选地，接点用于每个接触源极、漏极和硅化物层，并且每个接点具有暴露部分。浅隔离沟槽设置在n掺杂区域周围，该沟槽包括具有至少约200MPa的拉伸应力的应力硅氧化物层。在存储单元的操作期间该应力层减少保持在浮栅中的电荷的泄漏。
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