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公开(公告)号：CN101978474A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109820.1
申请日：2009-01-26
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 马克·A·福多尔 , 戴尔·R·杜波依斯 , 阿米特·班塞尔 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃勒·Y·朱科 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 希姆·M·萨德
IPC: H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/30 , H05H1/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。
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公开(公告)号：CN101285174A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810089769.X
申请日：2008-04-10
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 光得·道格拉斯·李 , 马修·斯伯勒 , 马丁·杰·西蒙斯 , 温蒂·H·叶 , 博·恒·金 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 德里克·R·维迪 , 伊沙姆·迈''萨德
Abstract: 本发明涉及用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制的方法。这些方法减少或防止等离子体感应电荷由于无定形碳薄膜的沉积而损坏衬底。在一方面，在低RF功率等级和/或低无定形碳的烃化合物/惰性气体流速比率的条件下，在无定形碳的块层沉积之前沉积无定形碳起始层。在起始层沉积之后，RF功率、烃流速和惰性气体流速可以变化到用于块层沉积的最终值，其中该RF功率爬坡速率通常大于烃化合物和惰性气体的爬坡速率。另一方面，最小化等离子体感应电荷损坏的方法包括在一个或多个腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜之前，在一个或多个腔室的内表面上沉积适应层，或在制造过程中使用氧化层或电介质层涂覆内表面。
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公开(公告)号：CN101689492A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880024240.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 阿希什·沙 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 戴尔·R·杜波依斯 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S414/136
Abstract: 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧且具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域的径向气流。
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公开(公告)号：CN102077338A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124223.6
申请日：2009-06-23
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67103 , H01L21/68792
Abstract: 提供一种用于提供功率给加热支撑基座的方法和设备。在一实施例中，叙述一种处理套组。该处理套组包含：空心轴，其由导电材料制成，并在一端耦合至基板支撑件，而在相对端耦合至基底组件，该基底组件适于耦合至配置在半导体处理工具上的功率箱。在一实施例中，该基底组件包含至少一暴露的电连接器，其配置在由介电材料，例如塑料树脂，制成的嵌件中。
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公开(公告)号：CN101743341A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024436.7
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 阿希什·沙 , 戴尔·R·杜波依斯 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: C23F1/02
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32366 , H01J2237/3321 , H01L21/67201 , H01L21/67207
Abstract: 本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室，其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离，且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源，以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。
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