公开(公告)号：CN101407909A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810211588.X

申请日：2008-10-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 马丁·杰西蒙斯 ,  尤加南德·N·萨利帕里 ,  光得·道格拉斯·李 ,  博·恒·金 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  温蒂·H·叶 ,  约瑟芬·汝-伟·张刘 ,  埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C16/26 ,  H01L21/3146

Abstract: 提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。在一个实施例中，沉积非晶碳膜的方法包括：在处理室中提供基板，在高于500摄氏度的温度下加热基板，将包括碳氢化合物和惰性气体的气体混合物提供到含有加热基板的处理室中，和在加热的基板上沉积具有在100兆帕斯卡(MPa)拉应力和约100兆帕斯卡(MPa)压应力之间的应力的非晶碳膜。

公开(公告)号：CN101285174A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810089769.X

申请日：2008-04-10

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 光得·道格拉斯·李 ,  马修·斯伯勒 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  温蒂·H·叶 ,  博·恒·金 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制的方法。这些方法减少或防止等离子体感应电荷由于无定形碳薄膜的沉积而损坏衬底。在一方面，在低RF功率等级和/或低无定形碳的烃化合物/惰性气体流速比率的条件下，在无定形碳的块层沉积之前沉积无定形碳起始层。在起始层沉积之后，RF功率、烃流速和惰性气体流速可以变化到用于块层沉积的最终值，其中该RF功率爬坡速率通常大于烃化合物和惰性气体的爬坡速率。另一方面，最小化等离子体感应电荷损坏的方法包括在一个或多个腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜之前，在一个或多个腔室的内表面上沉积适应层，或在制造过程中使用氧化层或电介质层涂覆内表面。