公开(公告)号：CN100550318C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710165142.3

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 徐惠文 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  阿米尔·阿尔-巴亚提 ,  德里克·威蒂 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。

公开(公告)号：CN101202227A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710165142.3

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 徐惠文 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  阿米尔·阿尔-巴亚提 ,  德里克·威蒂 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。