公开(公告)号：CN101331597A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680046808.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 雷扎·阿格哈瓦尼 ,  怡利·叶 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明公开了一种存储单元。该存储单元包括p掺杂衬底，在该衬底上具有一对间隔分开的n掺杂区域，所述n掺杂区域形成围绕沟道的源极和漏极。位于沟道上的叠层顺序地包括(i)隧道氧化物层，(ii)浮栅，(iii)栅极间电介质，以及(iv)控制栅。多晶硅层位于源极和漏极上。覆盖该叠层的覆盖层包括间隔垫层和前金属沉积层。可选地，接点用于每个接触源极、漏极和硅化物层，并且每个接点具有暴露部分。浅隔离沟槽设置在n掺杂区域周围，该沟槽包括具有至少约200MPa的拉伸应力的应力硅氧化物层。在存储单元的操作期间该应力层减少保持在浮栅中的电荷的泄漏。