公开(公告)号：CN101431046A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169680.4

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  任康树 ,  梅休尔·内克 ,  崔振江 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  夏立群

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。

公开(公告)号：CN102113099A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130954.1

申请日：2009-07-28

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 任康树 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/56

Abstract: 提供在一基板上沉积低介电常数膜层的方法。用以沉积此低介电常数膜层的程序包含：使一或多个有机硅化合物与成孔剂进行反应，之后将该膜层进行后处理而在膜层中造成孔隙。该一或多个有机硅化合物包含具有Si-Cx-Si或Si-O-(CH2)n-O-Si通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜层包含在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键结的膜层。该低介电常数膜层具有良好的机械力和粘性，以及所期望的介电常数值。

公开(公告)号：CN101595559A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

Abstract: 本文提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应、沉积含成孔剂的材料、以及移除至少一部分的含成孔剂的材料、通过供应成孔剂的前驱物反应沉积有机层至多孔的低介电常数层上、在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构、将导电材料填入特征界定结构、沉积屏蔽层至有机层和特征界定结构内的导电材料上、在屏蔽层中形成穿孔以露出有机层、透过穿孔移除部分或全部的有机层、以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN101743247A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024356.1

申请日：2008-06-19

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 任康树 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯

IPC: C07F7/00 ,  C07F7/08

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/56

Abstract: 提供一种在基板上沉积低介电常数膜的方法。此低介电常数膜是利用包含使一种或多种有机硅化合物与成孔剂反应后，再对所沉积膜进行后处理而于膜中产生孔的方法来沉积的。此一种或多种有机硅化合物包括具有Si-Cx-Si或-Si-O-(CH2)n-O-Si-通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜包括在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键的膜。此低介电常数膜具有良好的机械力和黏性，以及期望的介电常数。

公开(公告)号：CN100472733C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580012778.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 崔振江 ,  约瑟芬·J·常 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  瑞泽·阿扎维尼 ,  德里克·R·威蒂 ,  海伦·R·阿默 ,  吉利士·A·迪克西特 ,  希琴曼·麦萨迪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。

公开(公告)号：CN1947229A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012778.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 崔振江 ,  约瑟芬·J·常 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  瑞泽·阿扎维尼 ,  德里克·R·威蒂 ,  海伦·R·阿默 ,  吉利士·A·迪克西特 ,  希琴曼·麦萨迪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。

公开(公告)号：CN101595559B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN101187011B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710165136.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅化介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF电源存在下沉积初始层，将孔原物化合物从第二大容量储存容器中以第一孔原物流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将孔原物化合物蒸发并将该孔原物化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF电源存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一孔原物流速，并保持第二有机硅流速和第二孔原物流速以在RF电源存在下沉积含有孔原物的有机硅化介质层。

公开(公告)号：CN101886254A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010219968.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅酸盐介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层，将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速，并保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

公开(公告)号：CN101316945A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044540.3

申请日：2006-12-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 桑·H·安 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  希姆·M·萨德

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/401 ,  C08J7/065 ,  C08J7/08 ,  C08J7/12 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明的实施方式提供一种用于在腔室的衬底上由包括两种有机硅化合物的混合物沉积低介电常数薄膜的方法。该混合物包括碳氢化合物和氧化气体。第一有机硅化合物中每个Si原子具有一个或多个Si－C键的平均数。第二有机硅化合物中每个Si原子具有Si－C键的平均数，该平均数大于第一有机硅化合物中每个Si原子的Si－C键平均数。该低介电常数薄膜具有良好的等离子体/湿刻损伤抵抗性、良好的机械性能和期望的介电常数。