公开(公告)号：CN101187011B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710165136.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅化介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF电源存在下沉积初始层，将孔原物化合物从第二大容量储存容器中以第一孔原物流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将孔原物化合物蒸发并将该孔原物化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF电源存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一孔原物流速，并保持第二有机硅流速和第二孔原物流速以在RF电源存在下沉积含有孔原物的有机硅化介质层。

公开(公告)号：CN101886254A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010219968.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅酸盐介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有功率供给的电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字式液体流量计流到第一蒸发注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF功率存在下沉积初始层，将致孔剂化合物从第二大容量储存容器中以第一致孔剂流速经过第二数字式液体流量计流到第二蒸发注射阀，将致孔剂化合物蒸发并将该致孔剂化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF功率存在下沉积一过渡层的同时，增加第一有机硅流速和第一致孔剂流速，并保持第二有机硅流速和第二致孔剂流速以在RF功率存在下沉积含有致孔剂的有机硅酸盐介质层。

公开(公告)号：CN101187011A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710165136.8

申请日：2007-10-29

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 达斯廷·W·胡 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  凯尔文·陈 ,  纳加拉简·雷杰戈帕兰 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉马克里史南

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积有机硅化介质层的方法，所述方法通过将衬底定位在具有电极的处理腔室中，将一种或多种氧化气体流入处理腔室，将有机硅化合物从第一大容量储存容器中以第一有机硅流速经过第一数字液体流量计流到第一蒸发器注射阀，将有机硅化合物蒸发并将该有机硅化合物和一种载气流到处理腔室中，保持第一有机硅流速以在RF电源存在下沉积初始层，将孔原物化合物从第二大容量储存器中以第一孔原物流速经过第二数字流量计流到第二蒸发器注射阀，将孔原物化合物蒸发并将该孔原物化合物和一种载气流到处理腔室中，在RF电源存在下，增加第一有机硅流速和第一孔原物流速，同时沉积过渡层，并保持第二有机硅流速和第二孔原物流速以在RF电源存在下沉积含有孔原物的有机硅化介质层。