公开(公告)号：CN100472733C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580012778.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 崔振江 ,  约瑟芬·J·常 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  瑞泽·阿扎维尼 ,  德里克·R·威蒂 ,  海伦·R·阿默 ,  吉利士·A·迪克西特 ,  希琴曼·麦萨迪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。

公开(公告)号：CN1947229A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012778.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 崔振江 ,  约瑟芬·J·常 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  瑞泽·阿扎维尼 ,  德里克·R·威蒂 ,  海伦·R·阿默 ,  吉利士·A·迪克西特 ,  希琴曼·麦萨迪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351

Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。