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公开(公告)号：CN100472733C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580012778.3
申请日：2005-01-27
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 崔振江 , 约瑟芬·J·常 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 瑞泽·阿扎维尼 , 德里克·R·威蒂 , 海伦·R·阿默 , 吉利士·A·迪克西特 , 希琴曼·麦萨迪
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31633 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02351
Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。
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公开(公告)号：CN1947229A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012778.3
申请日：2005-01-27
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 崔振江 , 约瑟芬·J·常 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 瑞泽·阿扎维尼 , 德里克·R·威蒂 , 海伦·R·阿默 , 吉利士·A·迪克西特 , 希琴曼·麦萨迪
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31633 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02351
Abstract: 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。
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公开(公告)号：CN101431046B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810169680.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 任康树 , 梅休尔·内克 , 崔振江 , 米哈拉·鲍尔西努 , 石美仪 , 夏立群
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76825 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76885
Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。
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公开(公告)号：CN101431046A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810169680.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 任康树 , 梅休尔·内克 , 崔振江 , 米哈拉·鲍尔西努 , 石美仪 , 夏立群
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76825 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76885
Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。
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