-
公开(公告)号：CN102113099A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130954.1
申请日：2009-07-28
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 任康树 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/56
Abstract: 提供在一基板上沉积低介电常数膜层的方法。用以沉积此低介电常数膜层的程序包含：使一或多个有机硅化合物与成孔剂进行反应，之后将该膜层进行后处理而在膜层中造成孔隙。该一或多个有机硅化合物包含具有Si-Cx-Si或Si-O-(CH2)n-O-Si通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜层包含在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键结的膜层。该低介电常数膜层具有良好的机械力和粘性，以及所期望的介电常数值。
-
公开(公告)号：CN101065834A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580034047.9
申请日：2005-08-24
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02304 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76802 , H01L21/76811 , H01L21/76835
Abstract: 本发明公开了应用各种技术形成具有低机械应力的低K值介电膜。在一实施例中，在低温(300℃或更低)下以等离子体增强化学气相沉积工艺形成一含碳的氧化硅膜。在另一实施例中，所沉积的含碳氧化硅膜中因并入可于后续工艺中释出的致孔剂(porogen)，因而降低薄膜的应力。
-
公开(公告)号：CN102099897A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128310.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/208 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/31633 , C23C16/30 , C23C16/45523 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274
Abstract: 在此提出处理基板的方法，其中第一有机硅前体、第二有机硅前体、成孔剂和氧源供应至处理腔室。第一有机硅前体包含整体而言碳含量较低的化合物。第二有机硅前体包含碳含量较高的化合物。成孔剂包含碳氢化合物。施加RF功率以沉积膜层至基板上，并调整各种反应物气流的流速以改变部分沉积膜的碳含量。在一实施例中，沉积膜的起始部分具低碳含量，因而类似氧化物，后继部分则具高碳含量，而类似碳氧化物。另一实施例的特征在于没有类似氧化物的起始部分。后续处理将于膜的高碳含量部分内产生细孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101431046A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810169680.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 任康树 , 梅休尔·内克 , 崔振江 , 米哈拉·鲍尔西努 , 石美仪 , 夏立群
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76825 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76885
Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。
-
公开(公告)号：CN102077324A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125853.5
申请日：2009-06-08
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3141 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/31608 , H01L21/76814 , H01L21/76831
Abstract: 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中，该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化，且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔，以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。
-
公开(公告)号：CN101431046B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810169680.4
申请日：2008-10-09
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 埃米尔·阿拉-巴亚提 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 任康树 , 梅休尔·内克 , 崔振江 , 米哈拉·鲍尔西努 , 石美仪 , 夏立群
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76825 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76885
Abstract: 本发明提供了一种在互联结构的介电材料中产生气隙的方法和装置。一个实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在基板上沉积第一介电层，在第一介电层中形成沟槽，用导电材料填充沟槽，平坦化导电材料以暴露出第一介电层，将介电阻挡膜沉积在导电材料和暴露出的第一介电层上，在介电阻挡膜上方沉积硬掩膜层，在介电阻挡膜和硬掩模层中形成图案以暴露出基板的所选区域，氧化基板所选区域中的至少一部分第一介电层，去除第一介电层的氧化部分以在导电材料周围形成倒转沟槽，以及在倒转沟槽中沉积第二介电材料的同时在倒转沟槽中形成气隙。
-
公开(公告)号：CN101065834B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580034047.9
申请日：2005-08-24
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02304 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76802 , H01L21/76811 , H01L21/76835
Abstract: 本发明公开了应用各种技术形成具有低机械应力的低K值介电膜。在一实施例中，在低温(300℃或更低)下以等离子体增强化学气相沉积工艺形成一含碳的氧化硅膜。在另一实施例中，所沉积的含碳氧化硅膜中因并入可于后续工艺中释出的致孔剂(porogen)，因而降低薄膜的应力。
-
公开(公告)号：CN101743247A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024356.1
申请日：2008-06-19
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 任康树 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/56
Abstract: 提供一种在基板上沉积低介电常数膜的方法。此低介电常数膜是利用包含使一种或多种有机硅化合物与成孔剂反应后，再对所沉积膜进行后处理而于膜中产生孔的方法来沉积的。此一种或多种有机硅化合物包括具有Si-Cx-Si或-Si-O-(CH2)n-O-Si-通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜包括在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键的膜。此低介电常数膜具有良好的机械力和黏性，以及期望的介电常数。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
