-
公开(公告)号:CN102077324A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980125853.5
申请日:2009-06-08
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3141 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/31608 , H01L21/76814 , H01L21/76831
Abstract: 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中,该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化,且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔,以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。
-
公开(公告)号:CN101390185A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200680034035.0
申请日:2006-09-13
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor: A·奥-巴亚缇 , L·A·德克鲁兹 , A·T·迪莫斯 , D·R·杜波依斯 , K·A·埃尔舍拉夫 , 岩崎直之 , H·穆萨德 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·沙哈 , T·施米竹
IPC: H01J35/00
Abstract: 本发明提供用于基材的电子束处理的方法与设备。电子束设备包含真空室、至少一与真空室连通的热电偶组件、与真空室连通的加热装置、以及其组合。在一实施例中,真空室包含电子源,其中电子源包含连结至高压源的阴极、连结至低压源的阳极、以及基材支撑。另一实施例中,真空室包含设置介于阴极与基材支撑间的栅极(grid)。在一实施例中,加热装置包含第一平行光束阵列(parallel light array)与第二平行光束阵列,并配置成使第二平行光束阵列与第一平行光束阵列交叉。在一实施例中,热电偶组件包含由氮化铝所制的温度传感器。
-
公开(公告)号:CN101390185B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200680034035.0
申请日:2006-09-13
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor: A·奥-巴亚缇 , L·A·德克鲁兹 , A·T·迪莫斯 , D·R·杜波依斯 , K·A·埃尔舍拉夫 , 岩崎直之 , H·穆萨德 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·沙哈 , T·施米竹
IPC: H01J35/00
Abstract: 本发明提供用于基材的电子束处理的方法与设备。电子束设备包含真空室、至少一与真空室连通的热电偶组件、与真空室连通的加热装置、以及其组合。在一实施例中,真空室包含电子源,其中电子源包含连结至高压源的阴极、连结至低压源的阳极、以及基材支撑件。另一实施例中,真空室包含设置介于阴极与基材支撑件间的栅极(grid)。在一实施例中,加热装置包含第一平行光束阵列(parallel light array)与第二平行光束阵列,并配置成使第二平行光束阵列与第一平行光束阵列交叉。在一实施例中,热电偶组件包含由氮化铝所制的温度传感器。
-
-