公开(公告)号：CN102077324A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125853.5

申请日：2009-06-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 陈劲文 ,  K·A·埃尔舍拉夫 ,  A·T·迪莫斯 ,  谢美晔 ,  李力攀 ,  夏立群 ,  任康树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3141 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

Abstract: 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中，该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化，且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔，以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。