公开(公告)号：CN102027572A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980118333.1

申请日：2009-05-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  M·巴尔塞努 ,  谢美晔 ,  S·李 ,  Z·崔 ,  M·B·奈克 ,  M·D·阿玛柯斯特 ,  W·H·麦克肯克尔

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816

Abstract: 在此提出用于在基板中形成狭窄通孔的方法和设备。利用传统微影技术将图案凹部蚀入基板内。薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。

公开(公告)号：CN102077324A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125853.5

申请日：2009-06-08

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 陈劲文 ,  K·A·埃尔舍拉夫 ,  A·T·迪莫斯 ,  谢美晔 ,  李力攀 ,  夏立群 ,  任康树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3141 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

Abstract: 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中，该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化，且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔，以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。

公开(公告)号：CN101208783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材料以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN102017089A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115582.5

申请日：2009-04-06

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： S·M·李 ,  Y-w·李 ,  谢美晔 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。

公开(公告)号：CN101208783A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。