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公开(公告)号：CN101208783A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680014729.8
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , C23C16/34
Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。
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公开(公告)号：CN102239542A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148849.0
申请日：2009-11-30
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/205 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32183
Abstract: 本发明的实施例一般关于一种用于使用等离子体处理基板的方法与设备。更特定而言，本发明的实施例提供一种等离子体处理腔室，其具有一耦接至多个RF返回带的电极，其中该多个RF返回带的阻抗经设定及/或调整以于处理期间调控等离子体分布。一实施例中，RF返回带的阻抗藉由改变该多个RF返回带的长度、藉由改变该多个RF返回带的宽度、藉由改变该多个RF返回带的间隔、藉由改变该多个RF返回带的位置、藉由增加该多个RF返回带的电容或藉由其组合而变化。
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公开(公告)号：CN101208783B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680014729.8
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , C23C16/34
Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材料以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。
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公开(公告)号：CN101088150A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580038908.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01J37/32082 , H01L21/02274 , H01L21/3105 , H01L21/3185 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在一态样中，是在一基材上形成一应力材料。该基材置放在一处理区中，且一等离子体会由该处理区中所提供的处理气体形成，该处理气体具有含硅气体与含氮气体。亦可再加入稀释气体，例如，氮。该气体沉积材料会曝露在紫外线或电子束下，以增加沉积的氮化硅材料的应力。
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