公开(公告)号：CN102165561A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138301.8

申请日：2009-09-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J·李 ,  A·M·亨特 ,  B·E·亚当斯 ,  T·莫菲特 ,  S·莫法特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种方法和设备，其用于将硼集合注入半导体基板。通过等离子体浸渍或离子束注入将十八硼烷注入基板。然后使所述基板表面退火以完全离解和活化所述硼集合。可通过熔化所述注入区或通过子熔化退火工艺来进行所述退火。

公开(公告)号：CN100561708C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680014627.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏西留 ,  J·李 ,  舍美叶 ,  A·阿巴亚缇 ,  谢利群 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  C23C16/34

Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。

公开(公告)号：CN101208783A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN101167177A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014627.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏西留 ,  J·李 ,  舍美叶 ,  A·阿巴亚缇 ,  谢利群 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  C23C16/34

Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。

公开(公告)号：CN102217048A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980134141.X

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·M·亨特 ,  J·李 ,  R·S·拉马努加姆 ,  托玛斯·霍

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明的具体实施例是有关于在扩大温度测定范围(包含低温)下快速热处理基板的方法和设备。在此也揭露了使用扩大温度的高温测定系统(其采用穿透式辐射侦测器系统)的系统和方法。同时也叙述了结合穿透式辐射侦测器系统和发射式辐射侦测器系统的系统。

公开(公告)号：CN101208783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材料以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。