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公开(公告)号：CN101167165B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200680014625.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/314 , C23C16/34
Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。
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公开(公告)号：CN101167165A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014625.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/314 , C23C16/34
Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。
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公开(公告)号：CN100561708C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680014627.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , C23C16/34
Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。
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公开(公告)号：CN101167177A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014627.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , C23C16/34
Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。
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