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公开(公告)号：CN100561708C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680014627.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , C23C16/34
Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。
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公开(公告)号：CN101167177A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014627.6
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/8238 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336 , C23C16/34
Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101480110A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN101473062A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件，以及多种制造该物件的方法。在一实施例中，本发明提供一种涂覆一物件的铝表面的方法，其中该物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供一处理腔室；置放该物件至该处理腔室内；使第一气体流入该处理腔室，其中该第一气体包含碳源；使第二气体流入该处理腔室，其中该第二气体包含氮源；在该处理腔室内形成等离子体；以及在该铝表面上沉积一涂覆材料。在一实施例中，涂覆材料包括一含不定形碳氮的层。在一实施例中，该物件包含一喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN101523357A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN101167165B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200680014625.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/314 , C23C16/34
Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。
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公开(公告)号：CN101167165A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014625.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/314 , C23C16/34
Abstract: 一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。
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