公开(公告)号：CN101523357A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037481.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  E·Y·朱科 ,  M·阿优伯 ,  H-J·金 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·拉蒂 ,  D·帕德希 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  A·阿巴亚缇 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德 ,  A·巴利施尼科夫 ,  C·陈 ,  S·刘

IPC: G06F11/30 ,  G06F19/00 ,  G21C17/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。

公开(公告)号：CN101378850A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200680053046.3

申请日：2006-11-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： T·诺瓦克 ,  K·S·伊姆 ,  S-Y·B·唐 ,  K·D·李 ,  V·N·T·恩古耶 ,  D·辛格尔顿 ,  M·J·西蒙斯 ,  K·杰纳基拉曼 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  M·阿优伯 ,  W·H·叶 ,  A·T·迪莫斯 ,  H·M''沙迪

IPC: B08B6/00 ,  B08B9/00

Abstract: 本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O2)与/或一含卤素气体(例如NF3)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。