公开(公告)号：CN102197483A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142451.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成该闪存装置的方法。在一版本中，该闪存装置包括一掺杂氮化硅层，其具有包含碳、硼或氧的一掺杂剂。该掺杂氮化硅层在该层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供一非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：CN102017089A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115582.5

申请日：2009-04-06

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： S·M·李 ,  Y-w·李 ,  谢美晔 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 所提供为一种处理基板的方法与设备。处理基板的方法包含：提供一含有导电材料的基板；在导电材料上执行一前处理工艺；流入一硅系化合物至该导电材料上，以形成一硅化物层；在该硅化物层上执行一后处理工艺；以及沉积一阻障介电层在该基板上。

公开(公告)号：CN101690420A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德

IPC: H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C16/45523

Abstract: 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

公开(公告)号：CN101496145A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于使自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN101480110A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024531.2

申请日：2007-06-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·帕德希 ,  H-C·哈 ,  S·拉蒂 ,  D·R·威蒂 ,  C·陈 ,  S·帕克 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  H·姆塞德

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN101473062A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780023174.8

申请日：2007-06-14

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·帕德希 ,  C·陈 ,  S·拉蒂 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·周 ,  K·杰纳基拉曼 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4404

Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件，以及多种制造该物件的方法。在一实施例中，本发明提供一种涂覆一物件的铝表面的方法，其中该物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供一处理腔室；置放该物件至该处理腔室内；使第一气体流入该处理腔室，其中该第一气体包含碳源；使第二气体流入该处理腔室，其中该第二气体包含氮源；在该处理腔室内形成等离子体；以及在该铝表面上沉积一涂覆材料。在一实施例中，涂覆材料包括一含不定形碳氮的层。在一实施例中，该物件包含一喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。

公开(公告)号：CN101523357A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037481.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  E·Y·朱科 ,  M·阿优伯 ,  H-J·金 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·拉蒂 ,  D·帕德希 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  A·阿巴亚缇 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德 ,  A·巴利施尼科夫 ,  C·陈 ,  S·刘

IPC: G06F11/30 ,  G06F19/00 ,  G21C17/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。