公开(公告)号：CN101496145A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于使自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN101690420A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M''塞德

IPC: H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C16/45523

Abstract: 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。

公开(公告)号：CN101416293A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M''沙德

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。

公开(公告)号：CN102197483A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142451.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成该闪存装置的方法。在一版本中，该闪存装置包括一掺杂氮化硅层，其具有包含碳、硼或氧的一掺杂剂。该掺杂氮化硅层在该层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供一非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：CN102027572A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980118333.1

申请日：2009-05-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  M·巴尔塞努 ,  谢美晔 ,  S·李 ,  Z·崔 ,  M·B·奈克 ,  M·D·阿玛柯斯特 ,  W·H·麦克肯克尔

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816

Abstract: 在此提出用于在基板中形成狭窄通孔的方法和设备。利用传统微影技术将图案凹部蚀入基板内。薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。

公开(公告)号：CN101743631A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024500.1

申请日：2008-07-03

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J-U·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·威蒂 ,  H·M·塞德

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10GPa与约10GPa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。

公开(公告)号：CN101416293B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M'沙德

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。