公开(公告)号：CN102197483A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142451.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成该闪存装置的方法。在一版本中，该闪存装置包括一掺杂氮化硅层，其具有包含碳、硼或氧的一掺杂剂。该掺杂氮化硅层在该层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供一非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：CN101589459A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003270.0

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·诺利 ,  F·施米特 ,  A·莱克斯曼 ,  B·H·金 ,  R·阿尔加瓦尼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明的实施例一般提供一种在半导体器件的导电元件之间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般通过在相应导电元件间沉积牺牲材料、在导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后通过多孔层从相应导电元件之间的间隙剥除牺牲材料，从而在相应导电元件之间留下气隙。牺牲材料可以是例如聚合α-萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂氧化层，且剥除工艺可利用例如基于紫外线(UV)的固化工艺。