公开(公告)号：CN101208783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材料以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN101208783A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680014729.8

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏尔西柳 ,  M·S·考克斯 ,  夏立群 ,  谢美晔 ,  J·李 ,  V·佐泊考伏 ,  黄祖芳 ,  王荣平 ,  I·罗夫烙克斯 ,  H·莫萨德

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/34

Abstract: 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。

公开(公告)号：CN102197483A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142451.6

申请日：2009-10-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  V·佐泊考伏 ,  夏立群 ,  A·诺利 ,  R·阿尔加瓦尼 ,  D·R·威蒂 ,  A·奥-巴亚缇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种闪存装置及形成该闪存装置的方法。在一版本中，该闪存装置包括一掺杂氮化硅层，其具有包含碳、硼或氧的一掺杂剂。该掺杂氮化硅层在该层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供一非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。