公开(公告)号：CN101506960B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200780030401.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·莱克斯曼 ,  V·N·恩古耶 ,  朴贤秀 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  S·赖特尔 ,  清原敦 ,  F·施米特 ,  金柏涵

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种用于减少沉积在半导体基板上的薄膜上的缺陷的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于在基板上沉积薄膜的方法。该方法包括：用第一等离子体处理该基板，且该第一等离子体被配置成减少在该基板上已存在的缺陷；以及通过施加由至少一种前驱物及至少一种反应物气体所产生的第二等离子体，而在该基板上沉积一种包括硅和碳的薄膜。

公开(公告)号：CN101589459A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003270.0

申请日：2008-01-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·诺利 ,  F·施米特 ,  A·莱克斯曼 ,  B·H·金 ,  R·阿尔加瓦尼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明的实施例一般提供一种在半导体器件的导电元件之间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般通过在相应导电元件间沉积牺牲材料、在导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后通过多孔层从相应导电元件之间的间隙剥除牺牲材料，从而在相应导电元件之间留下气隙。牺牲材料可以是例如聚合α-萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂氧化层，且剥除工艺可利用例如基于紫外线(UV)的固化工艺。

公开(公告)号：CN101506960A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780030401.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： A·莱克斯曼 ,  V·N·恩古耶 ,  朴贤秀 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  S·赖特尔 ,  清原敦 ,  F·施米特 ,  金柏涵

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种用于减少沉积在半导体基板上的薄膜上的缺陷的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于在基板上沉积薄膜的方法。该方法包括：用第一等离子体处理该基板，且该第一等离子体被配置成减少在该基板上已存在的缺陷；以及通过施加由至少一种前驱物及至少一种反应物气体所产生的第二等离子体，而在该基板上沉积一种包括硅和碳的薄膜。