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发明公开
氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法失效

公开(公告)号：CN101690420A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： J-u·许 , M·巴尔塞努 , 夏立群 , V·T·恩古耶 , D·R·威蒂 , H·M''塞德

IPC分类号： H05H1/24 , C01B21/064

CPC分类号： C23C16/342 , C23C16/45523

摘要： 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。