公开(公告)号：CN101743631A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024500.1

申请日：2008-07-03

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J-U·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·威蒂 ,  H·M·塞德

IPC: H01L21/44

CPC classification number: C23C16/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10GPa与约10GPa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。