公开(公告)号：CN101416293A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012157.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  石美仪 ,  H·M''沙德

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。