公开(公告)号：CN101480110A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024531.2

申请日：2007-06-22

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·帕德希 ,  H-C·哈 ,  S·拉蒂 ,  D·R·威蒂 ,  C·陈 ,  S·帕克 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  H·姆塞德

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN102132383A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980134172.5

申请日：2009-08-19

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： J·陆 ,  H-C·哈 ,  P·马 ,  S·甘古利 ,  J·F·奥布充 ,  S·H·于 ,  M·纳拉辛汉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76871 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明的实施例提供一种在一阻障层上沉积一钴层并接着沉积一导电材料，如铜或一铜合金于其上的工艺。在一实施例中，提供一沉积材料于一基材表面的方法，其包括以下步骤：在一基材上形成一阻障层，于气相沉积工艺期间曝露此基材至二钴六羰基丁基乙炔(CCTBA)及氢(H2)以在该阻障层上形成一钴层，及沉积一导电材料于此钴层之上。在某些范例中，此阻障层及/或此钴层于如热工艺、原位等离子体工艺或远距等离子体工艺的处理工艺期间可曝露至一气体或一试剂。