公开(公告)号：CN101523357A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037481.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  E·Y·朱科 ,  M·阿优伯 ,  H-J·金 ,  K·杰纳基拉曼 ,  S·拉蒂 ,  D·帕德希 ,  M·J·西蒙斯 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  B·H·金 ,  A·阿巴亚缇 ,  D·R·威蒂 ,  H·姆塞德 ,  A·巴利施尼科夫 ,  C·陈 ,  S·刘

IPC: G06F11/30 ,  G06F19/00 ,  G21C17/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。

公开(公告)号：CN100561708C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680014627.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏西留 ,  J·李 ,  舍美叶 ,  A·阿巴亚缇 ,  谢利群 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  C23C16/34

Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。

公开(公告)号：CN101167177A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014627.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： M·柏西留 ,  J·李 ,  舍美叶 ,  A·阿巴亚缇 ,  谢利群 ,  H·姆塞德

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  C23C16/34

Abstract: 一种流程整合架构，其使用一或多种技术，以控制由此形成的一半导体元件中的应力。根据一实施例，利用一氮化物间隙物及多晶栅的RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层的沉积所构成的累积应力，来增进应变并改善元件性能。也可将锗沉积或植入该栅结构以助应力控制。