公开(公告)号：CN101431047A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169685.7

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  许惠雯 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  C23C16/325 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。

公开(公告)号：CN101419915A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810169676.8

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 许惠雯 ,  刘宜君 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/22

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C23C16/22 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅－碳键和碳－碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳－碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳－碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。

公开(公告)号：CN101431047B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810169685.7

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  许惠雯 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  C23C16/325 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。