公开(公告)号：CN101419915A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810169676.8

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 许惠雯 ,  刘宜君 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/22

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C23C16/22 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅－碳键和碳－碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳－碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳－碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。