公开(公告)号：CN105609517A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610026416.X

申请日：2016-01-16

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 谢斌 ,  秦盼 ,  向圆 ,  张乐银 ,  欧阳径桥 ,  吴慧 ,  李彪

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

摘要： 本发明公开一种背照式图像传感器，包括图像传感器芯片与支撑基板，图像传感器芯片正面嵌设有焊盘，图像传感器芯片的正面与支撑基板的顶面分别覆有绝缘层，图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接；图像传感器芯片的厚度为15～20um；图像传感器芯片的背面设有P型注入层，图像传感器芯片的背面设有抗反射膜层，抗反射膜层的上表面设有释放出光感应元件区的反光膜层，图像传感器芯片背面还设有使焊盘释放的开窗；图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接，具有良好的热匹配性和可靠性；通过对图像传感器芯片背面的处理，提高量子效率；本发明整体结构简单、应力低、可靠性高、焊盘释放结构简单，后续封装可采用常规的引线键合工艺实现。

公开(公告)号：CN110705139A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910793525.8

申请日：2019-08-27

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 苏亚慧 ,  秦盼 ,  王峙卫 ,  万国士 ,  赵磊

IPC分类号： G06F30/23 ,  G06F119/14

摘要： 本发明公开一种基于多应力耦合下电子设备可靠性评估方法，包括以下步骤：S1、确定电-热-力场耦合下电子设备的失效模式与失效机理；S2、根据步骤S1确定的电子设备失效模式与失效机理，建立多应力耦合下电子设备可靠性物理模型；S3、根据可靠性物理模型，对电子设备进行可靠性仿真分析；S4、根据步骤S3确定的可靠性薄弱环节，对电子设备的可靠性指标进行评估；本方法并不依托可靠性寿命数据，而是从电子设备的工艺参数信息、结构材料信息、工作和使用环境应力情况出发进行分析，可有效避免寿命数据不足的难点，减少成本；可相对准确地找出电子设备的可靠性薄弱环节，进而得到与实际情况更为符合的分析结果。

公开(公告)号：CN110703065A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910793428.9

申请日：2019-08-27

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 孙丽丽 ,  焦贵忠 ,  田波 ,  秦盼 ,  卜令旗 ,  李苏苏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种EMCCD动态老炼监控系统，包括老炼箱、单片机、电源板卡、驱动板卡、信号采集卡与上位机，老炼箱内设有用于放置EMCCD器件的老炼板卡，老炼板卡上方设有可调节光源；单片机输出接口分别连接驱动板卡与可调节光源，上位机通过单片机控制驱动板卡与可调节光源给放置于老炼板卡的EMCCD器件提供脉冲驱动信号和光信号，同时还向EMCCD器件提供动态成像向量信号、垂直转移信号与水平转移信号；EMCCD器件的输出变化信号通过老炼板卡传输给信号采集卡，信号采集卡将EMCCD器件的输出变化信号反馈给上位机，上位机对接收的信号进行成像显示与数据处理。

公开(公告)号：CN115630569A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211227758.X

申请日：2022-10-09

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 郑国庆 ,  秦盼 ,  金肖依 ,  孙贝贝 ,  张元特 ,  许辉辉 ,  凤瑞

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06F18/2411 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/047 ,  G06N3/09

摘要： 本发明涉及毫米波雷达传感器技术领域，且公开了一种应用于自动驾驶的毫米波雷达传感器建模方法，包括以下步骤，通过利用毫米波雷达传感器对周围环境的交通目标进行数据采集，然后对采集的数据目标进行数据处理，其数据处理包括对数据进行噪声数据清洗处理。本发明通过不需要大量的历史数据用于模型训练，满足了目标识别实时性的要求，所提出的模型的实用性较强，预测花费时间短，较为充分地理解了不同目标之间参数的差异，通过设计目标识别模型，进一步提高了算法的识别精度，同时构建多目标检测可进行多目标对比，降低误差概率，使识别的精度得到进一步提高，避免了目标关联的精度低影响目标识别的现象。

公开(公告)号：CN110687423B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201910956340.4

申请日：2019-10-10

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 焦贵忠 ,  孙丽丽 ,  田波 ,  秦盼 ,  卜令旗 ,  李苏苏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout‑Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。

公开(公告)号：CN112345812A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011024228.6

申请日：2020-09-25

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 陈徐州 ,  谢玉巧 ,  桑泉 ,  秦盼

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R19/165 ,  G01R23/06

摘要： 本发明公开一种放大器信号幅频检测电路，包括电压比较电路、频率电压转换电路、第一差分放大电路、第二差分放大电路、或门、红灯指示器与绿灯指示器，电压比较电路两个输入端分别连接待测信号与幅度参考电平，电压比较电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端，频率电压转换电路的输出端分别连接第一差分放大电路的反相输入端以及第二差分放大电路的同相输入端，第一差分放大电路的同相输入端与第二差分放大电路的反相输入端分别连接频率参考电平；第一差分放大电路与第二差分放大电路输出端分别连接或门的两个输入端，或门的输出端分别连接红灯指示器与绿灯指示器；该电路能够对放大器的幅度与频率进行便捷的检测，且结构简单、检测精度高。

公开(公告)号：CN112304569A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011024216.3

申请日：2020-09-25

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 秦盼 ,  田波 ,  王健 ,  丁艳丽 ,  王自刚 ,  刘群

IPC分类号： G01M11/00 ,  F25B21/02

摘要： 本发明提供一种EMCCD制冷测试装置，其特征在于：它包括外罩（1），在外罩（1）内设有测试架（2），在测试架（2）上的外罩（1）上连接有光源（2），在外罩（1）上还通入有与测试架（2）对应配合的冷却水进管（3）和冷却水出管（4），在冷却水进管（3）上设有控制阀（3a）,在外罩（1）外侧还设有与测试架（2）、光源（2）以及控制阀（3a）形成电信号连接配合的数据处理控制单元（5）。本发明结构简单、使用方便、测试效果好，能对EMCCD进行稳定低温的测试。

公开(公告)号：CN106057712A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610644076.7

申请日：2016-08-09

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 张乐银 ,  向圆 ,  李彪 ,  秦盼 ,  李炳旺 ,  李苏苏 ,  明源

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L21/67144 ,  H01L21/68

摘要： 本发明涉及一种光耦合器电路精确快速固晶装置，包括在底座上设置相互对应配合的校准器和承片台，承片台上设置光耦合器电路，在光耦合器电路上侧设置透明标尺，所述透明标尺包括透明板，在透明板上设有环形的第一刻度线和环形的第二刻度线，在透明板的一侧还设有间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽均设置在第二刻度线的内部，在透明板上还设有第三刻度线。本发明的优点：本装置利用透明定位卡尺，能够快速、高精度的实现晶粒的定位，手动即可将光发射与光敏二极管管芯的距离偏差控制在±10μm，满足光耦合器电路高精度的要求，操作简单、效率较高、工装制造成本低廉。

公开(公告)号：CN110687423A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910956340.4

申请日：2019-10-10

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 焦贵忠 ,  孙丽丽 ,  田波 ,  秦盼 ,  卜令旗 ,  李苏苏

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout-Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。

公开(公告)号：CN105514135A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610026413.6

申请日：2016-01-16

申请人： 华东光电集成器件研究所

发明人： 谢斌 ,  秦盼 ,  张乐银 ,  向圆 ,  李彪 ,  陈计学 ,  赵建强 ,  张伟

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14683

摘要： 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合；c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理，去除图像传感器芯片的背面衬底；d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层；e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层；f)在抗反射膜层上制备反光膜层；g)释放图像传感器芯片上的光感应元件；h)释放图像传感器芯片上的焊盘，得到最终的背照式图像传感器；本发明工艺简单易于实现，可适用于批量生产，采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘，使得后序封装中的引线键合工艺实现简单，节省了封装成本。