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公开(公告)号：CN114136528B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111479834.1
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L9/06 , G01L9/00 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部的Z字型互联线（5）两端对应的敏感桥阻连接，顶层硅互连线外端部制有焊盘（3）；感压膜片区域制有X字型顶层硅互连线（6），其两个内端与敏感桥阻另一端连接。本发明采用中心对称构造,利用芯片正/反向压力感传对称的特征,使得SOI压力敏感芯片线性压阻灵敏度双向对称一致。本发明兼容静态压力和动态压力测量，可覆盖高性能的低中高压力传感器量程规格和适应560℃以下的高宽温度压力测量环境。
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公开(公告)号：CN114136511B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202111479804.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及一种电缆线系SOI压阻压力传感器，衬底硅（10）微腔中设有感压膜片（4），衬底硅背面制有围堰（1），感压膜片区域制有敏感桥阻和互连线（2），感压膜片区域内制有互连线（6）与对应的敏感桥阻连接，围堰上的背封玻璃（50）中设有微凹腔（51）构成压力参考腔，衬底硅正面连接封接玻璃（60）及测量接口（61），金属接嘴（62）与封接玻璃连为一体,金属空心插管（54）与金属焊盘（3）形成电连接，金属空心插管中嵌压焊接电缆线（55）。本发明具有如下优点：传感器线性压阻灵敏度正/反向对称一致性,无管座使传感器与芯片固有频率接近，尤其是适用高频的动态压力测量。
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公开(公告)号：CN102368086B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110253293.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a.在惠斯通电桥各桥臂电阻两端，分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路；b.每次只有一个电流表接通工作，分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4，然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比，其显著优点是：通过电学测试电路以及数学公式变换，可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值，计算方法可编程价值高，易于在测试系统上开发，实现在线生产的大规模测试，从而高效的解决问题。
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公开(公告)号：CN114136510B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111479212.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种基于SOI敏感芯片的小型压力传感器，衬底硅（10）微腔中设有感压膜片（4），衬底硅背面制有围堰（1），感压膜片区域制有敏感桥阻R1—R4和互连线（2），其两端分别与敏感桥阻的连接，感压膜片区域内分别制有互连线（6）与对应的敏感桥阻另一端连接，围堰上连接的背封玻璃（50）中设有微凹腔（51）构成压力参考腔，电极插针伸入到对应的敏感芯片中的通孔（52）中，电极插针（53）与焊盘（3）电学连接。本发明具有如下优点：具有较高的线性压阻灵敏度正/反向对称一致性、高压力量程的宽泛覆盖和高过载能力；传感器为最小型化和轻量化，无管座封装使传感器固有频率接近芯片固有频率，兼容静/动
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公开(公告)号：CN112345119A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011024236.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆温度标定系统，包括高低温探针平台，以及相互电连接的温度采集器与上位机，标定系统还包括矩阵开关与五只半导体温度传感器，五只半导体温度传感器分别焊接在晶圆表面的五个不同区域；晶圆置于高低温探针平台内，五只半导体温度传感器通过矩阵开关与温度采集器相连；高低温探针台对晶圆由低到高、间隔设置施加一组传导温度；在每个传导温度点，五只半导体温度传感器分别将晶圆自身的五个区域温度通过矩阵开关、温度采集器依次传递至上位机；上位机绘制晶圆各区域高低温探针台的设置传导温度与晶圆自身温度的对应关系图；得到晶圆的温度标定数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110703065A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793428.9
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD动态老炼监控系统，包括老炼箱、单片机、电源板卡、驱动板卡、信号采集卡与上位机，老炼箱内设有用于放置EMCCD器件的老炼板卡，老炼板卡上方设有可调节光源；单片机输出接口分别连接驱动板卡与可调节光源，上位机通过单片机控制驱动板卡与可调节光源给放置于老炼板卡的EMCCD器件提供脉冲驱动信号和光信号，同时还向EMCCD器件提供动态成像向量信号、垂直转移信号与水平转移信号；EMCCD器件的输出变化信号通过老炼板卡传输给信号采集卡，信号采集卡将EMCCD器件的输出变化信号反馈给上位机，上位机对接收的信号进行成像显示与数据处理。
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公开(公告)号：CN103529372A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506791.0
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMES压阻式加速度传感器晶圆自动检验系统，包括固定连接MEMS压阻式加速度传感器晶圆(9)的探针台(8)及与探针台(8)相连的MCU模块(1)，MCU模块(1)外围设有与其相连的计算机(7)、矩阵开关电路(2)与A/D转换模块(5)；矩阵开关电路(2)外围分别连接有电流源电路(3)与信号调理电路(4)，矩阵开关电路(2)还与探针台(8)相连；所述测试装置还包括为MCU模块(1)、矩阵开关电路(2)、电流源电路(3)、信号调理电路(4)与A/D转换模块(5)供电的直流稳压电源(6)；给MEMS压阻式加速度传感器晶圆(9)施加电流源激励，通过MCU模块(1)对传感器晶圆反馈的电信号进行处理，进而将被检测传感器晶圆的性能参数在计算机上进行显示。
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公开(公告)号：CN102096036B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010571941.2
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成三极管阵列电路测试装置，集成三极管阵列电路测试装置包括：一个两层分体式结构的测试盒，下层主要分布单片机、AD转换器、继电器、模拟开关、稳压电源、恒流源、运算放大器和转接口；上层主要分布数码管、开关、选择按键、被测电路夹具、发光二极管、蜂鸣器、通用仪表接口，上下层电路通过转接口连接。测试盒是该装置的核心部分，测试盒下层板主要实现数据采集、数据处理、数据判断、接口功能；测试盒上层板主要实现信号输入输出、判断结果显示、参数测试数据显示、判断步骤显示功能。本发明装置能完成全管子、全参数的单步、自动测试，高温、低温和常温测试。
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公开(公告)号：CN115733453A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211516984.X
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合传感器数据融合装置，包括复合传感器由芯片基板上设置湿度传感器、温度传感器、放大器、A/D转换器、校验存储器与控制单元组成，温、湿度传感器分别产生相对湿度、温度的信号，信号经过放大器放大，分别送至A/D转换器进行模/数转换、校准和纠错，送至控制单元，最后通过二线串行接口将测量的数据送至单片机。发明的优点在于，它不仅能准确测量相对温度，还能测量温度和露点，测量相对温度的范围是0～100%，分辨力达0.03%RH，最高精度为±2%RH。测量温度的范围是‑40℃～+123.8℃，分辨力为0.01℃。测量露点的精度
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公开(公告)号：CN114136528A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479834.1
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L9/06 , G01L9/00 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部的Z字型互联线（5）两端对应的敏感桥阻连接，顶层硅互连线外端部制有焊盘（3）；感压膜片区域制有X字型顶层硅互连线（6），其两个内端与敏感桥阻另一端连接。本发明采用中心对称构造,利用芯片正/反向压力感传对称的特征,使得SOI压力敏感芯片线性压阻灵敏度双向对称一致。本发明兼容静态压力和动态压力测量，可覆盖高性能的低中高压力传感器量程规格和适应560℃以下的高宽温度压力测量环境。
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