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公开(公告)号：CN112098809B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
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公开(公告)号：CN110687424A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910956345.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统，包括测试腔室，测试腔室内的底部设有升降支架，升降支架顶端设有介质冷却台，介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器，振荡器上方设有环形器；测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器；测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏；本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷，保证器件测试的准确性。
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公开(公告)号：CN106057712A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610644076.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/68
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器电路精确快速固晶装置，包括在底座上设置相互对应配合的校准器和承片台，承片台上设置光耦合器电路，在光耦合器电路上侧设置透明标尺，所述透明标尺包括透明板，在透明板上设有环形的第一刻度线和环形的第二刻度线，在透明板的一侧还设有间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽均设置在第二刻度线的内部，在透明板上还设有第三刻度线。本发明的优点：本装置利用透明定位卡尺，能够快速、高精度的实现晶粒的定位，手动即可将光发射与光敏二极管管芯的距离偏差控制在±10μm，满足光耦合器电路高精度的要求，操作简单、效率较高、工装制造成本低廉。
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公开(公告)号：CN102368086B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110253293.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a.在惠斯通电桥各桥臂电阻两端，分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路；b.每次只有一个电流表接通工作，分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4，然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比，其显著优点是：通过电学测试电路以及数学公式变换，可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值，计算方法可编程价值高，易于在测试系统上开发，实现在线生产的大规模测试，从而高效的解决问题。
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公开(公告)号：CN102915942A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210377113.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器精确固晶装置，其特征在于：a、按照光耦合器的端面特征形状及尺寸，在透明标尺(1)上刻出相应的刻度线；b、将透明标尺固定在校准器(11)上；c、将透明标尺(1)位于显微镜(17)下方，将粘接后未固化的光耦合器(19)置于透明标尺下方的承片台(18)上，通过显微镜观察，调节校准器将光耦合器端面特征形状与透明标尺刻度线重合，然后使用针状物拨动芯粒侧面进行微调，直至光耦合器端面的管壳记号、光敏二极管、发光二极管与透明标尺中对应的刻度线完全重合；d、最后对光耦合器进行固化。本发明与现有技术相比，其显著优点是：固晶一致性高、精确性高、操作简单，可以多次反复使用等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110672878A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910956339.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开一种三轴高量程加速度传感器横向灵敏度比测试装置，包括沿X轴向设置的撞击体与霍普金森杆，霍普金森杆的尾部设置待测的传感器，传感器的X轴、Y轴与Z轴分别对应设置有X轴激光多普勒分析仪、Y轴激光多普勒分析仪与Z轴激光多普勒分析仪；所述测试装置还包括通讯连接的数据采集卡与工控机，三个激光多普勒分析仪的输出端分别连接数据采集卡；通过在三个方向上安装激光多普勒分析仪实现三个方向上同步的加速度测量，实现传感器的横向灵敏度比测试。
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公开(公告)号：CN113777393A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111111313.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明涉及一种RS485接口通信欠幅检测电路，其特征在于，包括峰值采样保持电路、欠幅比较电路、欠幅保持电路、欠幅指示电路、释放电路；峰值采样保持电路的输入端与被测信号源相连、一个输出端与欠幅比较电路相连、另一个输出端与释放电路相连；欠幅比较电路一个输入端与测信号源相连、另一个输入端与峰值采样保持电路的输出端相连；欠幅保持电路的输入端与欠幅比较电路的输出端相连、一个输出端与欠幅指示电路连接、另一个输出端与与释放电路相连。本发明的有益效果是结构简单，能够快速、便捷地判断脉RS485接口通信电路的欠幅问题。
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公开(公告)号：CN113695726A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111110290.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种小型化管壳平行缝焊工装夹具及其使用方法，包括下基座，下基座上设有一组用于定位管壳的第一定位槽，下基座通过一组定位销可拆卸连接上盖体，上盖体上设有一组与定位槽位置相对应的定位安装槽孔，每个定位安装槽孔的孔边缘对称设有两个用于焊轮避让夹具的避让缺口；定位安装槽孔为台阶形通孔槽，包括与管壳定位配合的第二定位槽以及与盖板定位配合的第三定位槽，第二、第三定位槽同轴连通，第二定位槽槽口位于上盖体的下端面且槽底用于限位配合管壳焊接端面，三定位槽槽底用于限位配合盖板端面。本发明能够精准定位小型化的管壳和盖板，正确匹配两待加工件的位置，可以批量化生产，提高了小型化管壳平行缝焊封盖效率及封盖质量。
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公开(公告)号：CN110687424B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910956345.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统，包括测试腔室，测试腔室内的底部设有升降支架，升降支架顶端设有介质冷却台，介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器，振荡器上方设有环形器；测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器；测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏；本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷，保证器件测试的准确性。
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公开(公告)号：CN112387904A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011165205.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种单片器件切筋整形装置，它包括机架（1），在机架（1）上滑动配合的上模座（2），在上模座（2）上安装有切刀（3），在切刀（3）下方的机架（1）上设有与上模座（2）对应分布的下模座（4），在下模座（4）上设有放置槽（9），在放置槽（9）上设有与切刀（3）对应配合的台阶（5），在下模座（4）上还设有与单片器件封装（6）对应配合的气孔（7），在下模座（4）上设有与气孔（7）连通的气管接头孔（8）。本发明结构简单、使用方便，单独封装体切筋整形一体化操作，并避免切筋整形过程中出现的封装体损伤等问题。
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