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公开(公告)号：CN105372574A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510664513.7
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统，包括ASL1000测试平台，ASL1000测试平台的输出接口连接有测试夹具与探针卡，探针卡上设有分压电路、继电器以及与待测晶圆相配合的探针，所述测试夹具与探针配合连接；ASL1000测试平台向测试夹具输出电源信号与控制信号，并通过探针分别施加在待测晶圆的电源输入端与控制输入端，ASL1000测试平台向分压电路输出测试信号，并控制继电器的通断；分压电路将接收的测试信号分压处理为毫伏级信号，毫伏级信号依次通过继电器的触点与探针施加在待测晶圆的信号输入端；测试信号经由线路传输，毫伏级信号施加在晶圆上进行测试，实现大信号传输、小信号测试的目的，能够避免对晶圆测试时毫伏级信号的衰减，结构简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN103531703A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505668.7
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体；高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102915942B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210377113.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器精确固晶装置，其特征在于：a、按照光耦合器的端面特征形状及尺寸，在透明标尺(1)上刻出相应的刻度线；b、将透明标尺固定在校准器(11)上；c、将透明标尺(1)位于显微镜(17)下方，将粘接后未固化的光耦合器(19)置于透明标尺下方的承片台(18)上，通过显微镜观察，调节校准器将光耦合器端面特征形状与透明标尺刻度线重合，然后使用针状物拨动芯粒侧面进行微调，直至光耦合器端面的管壳记号、光敏二极管、发光二极管与透明标尺中对应的刻度线完全重合；d、最后对光耦合器进行固化。本发明与现有技术相比，其显著优点是：固晶一致性高、精确性高、操作简单，可以多次反复使用等。
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公开(公告)号：CN104192791A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410465890.3
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆的切割方法，包括如下步骤:将圆片（1）表面使用光刻胶（4）进行匀胶保护并加热固化，用普通蓝膜（5）在正面进行贴膜，切割时从圆片背面进行切透式切割，切割完成后分别使用丙酮，酒精浸泡，待胶溶解后使用不锈钢镊子将芯片取出后带有微结构面向上放入盛放芯片区带有通孔的花篮中，然后将花篮悬挂在烧杯中，将氮气管插入至烧杯底部，开启适量氮气将芯片上酒精吹干。然后将芯片从花篮中取出放入专用MEMS芯片存放盒，待芯片全部处理后连同存放盒放入氮气柜待用。本发明的方法可有效避免切割过程中碎屑掉入微结构中，生产加工工艺简单，易操作，成品率高，加工无微结构尺寸和形状限制。
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公开(公告)号：CN102522322A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110419204.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯粒的清洗装置，其特征在于它由芯粒存放盘（2）和连接于芯粒存放盘（2）上的手柄（1）组成，芯粒存放盘表面设置有一组芯粒存放槽（3），每个芯粒存放槽的底面设置一个将芯粒存放盘贯通的清洗液渗漏孔（5）。本发明与现有技术相比，其显著优点是：1、实现切割后的小芯粒快速、一致性清洗；2、可以一次性清洗几十到几百只不同大小的芯粒，芯粒尺寸范围达到0.5mm×0.5mm～5.0mm×5.0mm，清洗过程不会对芯粒造成任何损伤，进行批量较大的小芯粒清洗时工作效率可成倍提高；3、操作省时省力，制作成本低，使用的是普通工业用清洗试剂（一般使用无水乙醇即可）和常用超声清洗机，无须专用材料和设备。
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公开(公告)号：CN102915942A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210377113.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器精确固晶装置，其特征在于：a、按照光耦合器的端面特征形状及尺寸，在透明标尺(1)上刻出相应的刻度线；b、将透明标尺固定在校准器(11)上；c、将透明标尺(1)位于显微镜(17)下方，将粘接后未固化的光耦合器(19)置于透明标尺下方的承片台(18)上，通过显微镜观察，调节校准器将光耦合器端面特征形状与透明标尺刻度线重合，然后使用针状物拨动芯粒侧面进行微调，直至光耦合器端面的管壳记号、光敏二极管、发光二极管与透明标尺中对应的刻度线完全重合；d、最后对光耦合器进行固化。本发明与现有技术相比，其显著优点是：固晶一致性高、精确性高、操作简单，可以多次反复使用等。
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公开(公告)号：CN105609517A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610026416.X
申请日：2016-01-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14632 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开一种背照式图像传感器，包括图像传感器芯片与支撑基板，图像传感器芯片正面嵌设有焊盘，图像传感器芯片的正面与支撑基板的顶面分别覆有绝缘层，图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接；图像传感器芯片的厚度为15～20um；图像传感器芯片的背面设有P型注入层，图像传感器芯片的背面设有抗反射膜层，抗反射膜层的上表面设有释放出光感应元件区的反光膜层，图像传感器芯片背面还设有使焊盘释放的开窗；图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接，具有良好的热匹配性和可靠性；通过对图像传感器芯片背面的处理，提高量子效率；本发明整体结构简单、应力低、可靠性高、焊盘释放结构简单，后续封装可采用常规的引线键合工艺实现。
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