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公开(公告)号：CN115876439A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211515348.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种用于MOEMS扫描微镜的光学偏转角测试方法，包括以下步骤：将不施加驱动信号的MOEMS扫描微镜放置在载台上，将其调整定位并固定，使MOEMS扫描微镜镜面处于水平状态，MOEMS扫描微镜定位位置对应于PSD位置模块标定的0°点；给MOEMS扫描微镜施加驱动信号，使其发生顺逆方向往复偏转；激光器射出光束照射在MOEMS扫描微镜上，经过反射后，由PSD位置模块接收反射的激光，并识别受光点位置，通过数据处理转换得到MOEMS扫描微镜的顺逆光学偏转角。本发明有效测量相对于MOEMS扫描微镜的镜面处于水平状态时顺逆偏转的具体角度，准确评估其镜面偏转情况，同时，还可以快速准确的定位MOEMS扫描微镜，提高整个测试效率。
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公开(公告)号：CN112345119A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011024236.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆温度标定系统，包括高低温探针平台，以及相互电连接的温度采集器与上位机，标定系统还包括矩阵开关与五只半导体温度传感器，五只半导体温度传感器分别焊接在晶圆表面的五个不同区域；晶圆置于高低温探针平台内，五只半导体温度传感器通过矩阵开关与温度采集器相连；高低温探针台对晶圆由低到高、间隔设置施加一组传导温度；在每个传导温度点，五只半导体温度传感器分别将晶圆自身的五个区域温度通过矩阵开关、温度采集器依次传递至上位机；上位机绘制晶圆各区域高低温探针台的设置传导温度与晶圆自身温度的对应关系图；得到晶圆的温度标定数据。
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公开(公告)号：CN110703065A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793428.9
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD动态老炼监控系统，包括老炼箱、单片机、电源板卡、驱动板卡、信号采集卡与上位机，老炼箱内设有用于放置EMCCD器件的老炼板卡，老炼板卡上方设有可调节光源；单片机输出接口分别连接驱动板卡与可调节光源，上位机通过单片机控制驱动板卡与可调节光源给放置于老炼板卡的EMCCD器件提供脉冲驱动信号和光信号，同时还向EMCCD器件提供动态成像向量信号、垂直转移信号与水平转移信号；EMCCD器件的输出变化信号通过老炼板卡传输给信号采集卡，信号采集卡将EMCCD器件的输出变化信号反馈给上位机，上位机对接收的信号进行成像显示与数据处理。
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公开(公告)号：CN104793057A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510208123.9
申请日：2015-04-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开一种加速度传感器桥臂电阻测试系统，包括MCU模块，MCU模块外围设有与其相连的计算机、矩阵开关与数据采集单元，电阻桥式加速度传感器的四个端口分别与矩阵开关相连，矩阵开关还连接有恒流源；所述测试系统还包括为数据采集单元、矩阵开关与MCU模块供电的直流稳压电源；MCU模块控制矩阵开关的通断，使恒流源通过矩阵开关对所述四个端口两两组合施加激励；数据采集单元采集电阻桥式传感器在施加激励后的反馈并发送给MCU模块；MCU模块根据反馈值得出电阻桥式加速度传感器四个端口两两之间的节点电阻值，并将节点电阻值发送给计算机；计算机根据节点电阻通过迭代法计算出每个桥臂电阻的阻值，结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN118870221A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410862133.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N25/71 , H04N25/709
Abstract: 本发明提供了一种便携式电子倍增CCD多路可调交直流信号源，包括多路直流可调驱动电压源、多路交流脉冲信号源、高压驱动信号源、上位计算机、主控模块以及EMCCD电路，所述上位计算机控制连接主控模块，所述主控模块与EMCCD电路之间连接有多路直流可调驱动电压源、多路交流脉冲信号源以及高压驱动信号源，其中，所述多路直流可调驱动电压源为模块化，插拔式安装于主控模块与EMCCD电路之间。本发明对电子倍增CCD所需的多路可调交直流信号源进行优化，采用模块化便携式设计，使整个电子倍增CCD交直流信号源便于携带，不依赖于对稳压电源的使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115514909A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211187246.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N5/372 , H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种电子倍增CCD用三电平高压驱动转换电路，包括依次连接的上位计算机和主控模块，主控模块分别连接前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块，前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块分别连接推挽驱动电路。本发明电子倍增CCD的三电平驱动转换电路可通过主控模块任意调节驱动信号的高中低三路电平值，波形建立时间达到纳秒级，同时高电平驱动电压可超过35V，满足电子倍增CCD像元内倍增需要的高压驱动信号要求，可方便设置任意电子倍增CCD电路的三电平倍增驱动信号，以达到其最佳成像效果。
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公开(公告)号：CN112269075B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011026774.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种EMCCD电荷转移效率的测试方法，包括以下步骤：a、采用非倍增模式，测量EMCCD的非倍增输出信号电荷在转移前的数值V2，并记录此时所有的交直流电极数据、温度数据与光照数据；b、采用倍增模式，交直流电极数据、温度数据与光照数据按照步骤a执行，单独调节倍增电极，测量EMCCD的倍增输出信号电荷在转移前的数值V1；c、将V1与V2代入公式，计算得到EMCCD电荷转移效率；该方法基于EMCCD已有的版图结构，无需更改电路版图与工艺，能够对EMCCD的电荷转移效率准确的测试与计算。
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公开(公告)号：CN114137396A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479803.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种基于测试系统的裸芯片测试装置及测试方法，包括：真空吸笔吸取裸芯片（12），放入装载腔体（11）中，使探针（9）与对应的PAD接触，移动柔性压块（15）固定裸芯片，将PCB转接板（10）下的排针（9a）插入测试系统接口（8）中；运行测试软件，由电压电流单元（2）、差分电压表（3）、精密交流源单元（4）给待测裸芯片施加所需电压电流，测试数据通过高精度采集单元（5）采集，经主机计算得最终测试结果，自动判断电路测试数据是否合格。本发明的优点：裸芯片通过真空吸笔吸取平行放置在夹具腔体内，不损伤裸芯片表面，直接对裸芯片进行测试评估，不会因封装过程损坏造成浪费，提高了测试效率及准确性。
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公开(公告)号：CN113794847A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN118858705A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410960051.2
申请日：2024-07-17
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种多工位四路光耦测试板，用于测试光耦，包括测试板和夹具转接器，所述测试板上具有四路光耦测试电路，且所述测试板上设有排针，所述夹具转接器连接用于夹持光耦的夹具和排针，所述测试板的输入端连接指示灯，输出端探测点连接示波器；本发明中，使用夹具转接器结合排针的方式进行光耦夹具连接，转接器使用和更换都比较方便；可兼容四路以下光耦的测试；可同时实现多种封装类型光耦的对比测试。
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