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公开(公告)号：CN117060117A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311105908.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/02 , H01R13/502 , H01R13/504 , H01R13/405
Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属封装气密封插座，它包括壳体（1），在壳体（1）一端端部连接有金属法兰（2），在壳体（1）另一端的内壁上设有隔断（3），在隔断（3）上插接有插针（4），在壳体（1）上设有与金属法兰（2）连接配合的第一金属化层（5），在隔断（3）上设有与插针（4）形成连接配合的第二金属化层（6）。本发明结构简单、工作电压高、密封性好、性能稳定可靠、安装使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN115832743A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211341932.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/11 , H01R13/639
Abstract: 本发明公开一种直插式集成电路用的小型化电连接装置，它包括带有连接孔（2）的PCB插座（1），连接孔（2）内固定连接插接套（3），插接套（3）具有与引脚（8）插接配合的承插孔（4），在插接套（3）的尾端设有一组爪形的簧片（5），簧片（5）可沿着插接套（3）的径向同步扩胀，簧片（5）尾部的自由端所围成的虚拟内圆直径小于引脚的直径。本发明小型化且结构紧凑，结构设计合理，通过簧片的形变压力共同夹持引脚形成稳定地多点接触，大大提高了装置的过流能力和接触可靠性能。
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公开(公告)号：CN112098809B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
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公开(公告)号：CN114141671A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479272.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种集成电路组装定位装置，包括基座，基座上设有与引脚匹配的定位槽，在定位槽长度方向一侧设有与第一气缸连接引脚限位片、另一侧设有第一、第二导向槽；第一导向槽与定位槽连通且垂直其长度方向，第二导向槽与定位槽和容纳槽连通且平行于定位槽长度方向；在定位槽宽度方向两侧设有与定位槽和容纳槽连通的第三导向槽，第三导向槽内设有夹紧块，夹紧块与同步运行装置连接；第一导向槽内滑动配合定位块，定位块与第二气缸连接，第二导向槽内设有与第三气缸连接的移动块和弹性卡夹，弹性卡夹活动位于移动块和引脚限位片之间，定位块靠近移动块的一侧面为斜面。本发明实现了对集成电路批量化精准定位目的，提高了组装定位精度和效率。
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公开(公告)号：CN106057712A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610644076.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 华东光电集成器件研究所
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/68
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器电路精确快速固晶装置，包括在底座上设置相互对应配合的校准器和承片台，承片台上设置光耦合器电路，在光耦合器电路上侧设置透明标尺，所述透明标尺包括透明板，在透明板上设有环形的第一刻度线和环形的第二刻度线，在透明板的一侧还设有间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽均设置在第二刻度线的内部，在透明板上还设有第三刻度线。本发明的优点：本装置利用透明定位卡尺，能够快速、高精度的实现晶粒的定位，手动即可将光发射与光敏二极管管芯的距离偏差控制在±10μm，满足光耦合器电路高精度的要求，操作简单、效率较高、工装制造成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141671B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111479272.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种集成电路组装定位装置，包括基座，基座上设有与引脚匹配的定位槽，在定位槽长度方向一侧设有与第一气缸连接引脚限位片、另一侧设有第一、第二导向槽；第一导向槽与定位槽连通且垂直其长度方向，第二导向槽与定位槽和容纳槽连通且平行于定位槽长度方向；在定位槽宽度方向两侧设有与定位槽和容纳槽连通的第三导向槽，第三导向槽内设有夹紧块，夹紧块与同步运行装置连接；第一导向槽内滑动配合定位块，定位块与第二气缸连接，第二导向槽内设有与第三气缸连接的移动块和弹性卡夹，弹性卡夹活动位于移动块和引脚限位片之间，定位块靠近移动块的一侧面为斜面。本发明实现了对集成电路批量化精准定位目的，提高了组装定位精度和效率。
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公开(公告)号：CN115514909A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211187246.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N5/372 , H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种电子倍增CCD用三电平高压驱动转换电路，包括依次连接的上位计算机和主控模块，主控模块分别连接前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块，前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块分别连接推挽驱动电路。本发明电子倍增CCD的三电平驱动转换电路可通过主控模块任意调节驱动信号的高中低三路电平值，波形建立时间达到纳秒级，同时高电平驱动电压可超过35V，满足电子倍增CCD像元内倍增需要的高压驱动信号要求，可方便设置任意电子倍增CCD电路的三电平倍增驱动信号，以达到其最佳成像效果。
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公开(公告)号：CN114137396A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479803.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种基于测试系统的裸芯片测试装置及测试方法，包括：真空吸笔吸取裸芯片（12），放入装载腔体（11）中，使探针（9）与对应的PAD接触，移动柔性压块（15）固定裸芯片，将PCB转接板（10）下的排针（9a）插入测试系统接口（8）中；运行测试软件，由电压电流单元（2）、差分电压表（3）、精密交流源单元（4）给待测裸芯片施加所需电压电流，测试数据通过高精度采集单元（5）采集，经主机计算得最终测试结果，自动判断电路测试数据是否合格。本发明的优点：裸芯片通过真空吸笔吸取平行放置在夹具腔体内，不损伤裸芯片表面，直接对裸芯片进行测试评估，不会因封装过程损坏造成浪费，提高了测试效率及准确性。
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公开(公告)号：CN113794847A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN112269116A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026830.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，包括以下步骤：S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，S7、管壳级真空封装，S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，S9、根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度；该方法能够对管壳级封装后内部的真空度进行评价，从而验证封装或类似设备生产加工的产品内部实际的真空度。
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