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公开(公告)号：CN117239471A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311105913.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种高压信号传输的连接器密封组件结构，其特征在于：它包括插座组件（a），在插座组件内插接有对应配合的插头组件（b）。本发明结构简单、使用方便，采用两次密封方式，同时利用插座组件与插头组件一端连接处的弯道和增长的插座壳体来增加爬电距离，即使有密封不紧发生，这个增强的爬电距离也会减小电晕和防止电压击穿。
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公开(公告)号：CN112269116A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026830.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，包括以下步骤：S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，S7、管壳级真空封装，S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，S9、根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度；该方法能够对管壳级封装后内部的真空度进行评价，从而验证封装或类似设备生产加工的产品内部实际的真空度。
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公开(公告)号：CN112098809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
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公开(公告)号：CN117409849A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311106678.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种便携式串行存储器测试装置，主要由单片机控制电路、液晶显示屏，存储器夹具构成，单片机中设有SPI协议通信模块、读取对比模块和结果分析模块组成的测试系统，存储器夹具通过SPI接口与SPI协议通信模块相连，通过按键对测试系统进行操作，液晶显示屏接受结果分析模块的信号实时显示储存器测试状态。测试时系统状态由液晶显示屏显示，通过按键控制测试系统，当存储器被放置在夹具中，系统识别其IP显示其信息，通过对存储器芯片进行存储与读数操作，数据读出后系统自动与存取的数据进行对比，结果显示在液晶显示屏上。本发明的有益效果是，结构简单，可以快速便捷的对存储器的功能进行验证，为各类相关产品研发时错误分析提供排查手段。
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公开(公告)号：CN115693285A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211341989.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/639 , H01R13/508 , F16F15/067
Abstract: 本发明公开一种防震防松脱的连接装置，包括外壳体（1），外壳体（1）通过内设螺纹连接连接柱（2），外壳体（1）内设有一组并排设置的环形的螺旋弹簧（3），螺旋弹簧（3）的环形外侧边缘均固定连接在外壳体（1）的内壁上、环形内侧边缘套在连接柱（2）的外表面并与其形成弹性挤压接触；当外壳体（1）和连接柱（2）连接时，外壳体（1）的内表面与连接柱（2）外表面之间的间隙小于螺旋弹簧（3）中簧线的螺旋圈直径，且螺旋弹簧（3）的簧线倾斜并与对应指向轴心的虚拟辅助线之间形成一定的夹角，形成多处摩擦点。本发明能够提高锁紧摩擦力，对连接柱进行反向锁紧，在超高速、超震动的宇航环境中起到防震防松脱的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113777393A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111111313.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明涉及一种RS485接口通信欠幅检测电路，其特征在于，包括峰值采样保持电路、欠幅比较电路、欠幅保持电路、欠幅指示电路、释放电路；峰值采样保持电路的输入端与被测信号源相连、一个输出端与欠幅比较电路相连、另一个输出端与释放电路相连；欠幅比较电路一个输入端与测信号源相连、另一个输入端与峰值采样保持电路的输出端相连；欠幅保持电路的输入端与欠幅比较电路的输出端相连、一个输出端与欠幅指示电路连接、另一个输出端与与释放电路相连。本发明的有益效果是结构简单，能够快速、便捷地判断脉RS485接口通信电路的欠幅问题。
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公开(公告)号：CN118841412A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410937992.4
申请日：2024-07-12
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种可实现双路高速信号传输的光电隔离密封组件，包括至少两个发光二极管和两个光敏三级管，发光二极管为输入端，光敏三级管为输出端，输入端与输出端之间光电隔离，所述两个发光二极管和两个光敏三级管均封装于封装壳体内；本发明中，采用双槽对称的管壳体结构，使用双路间的光线防干扰隔离方式，在管壳内使用2只高速发光芯片和2只高速受光芯片，实现双路高速信号传输；采用发光芯片和受光芯片上下对射的密封结构可以进行更高等级的耐压隔离。
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公开(公告)号：CN117748951A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311614524.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种便携低成本PWM变压变频控制系统，其特征在于由升压模块、控制模块和单片机构成的数字模块三部分组成，其中升压模块用来将5V的低电压升至所需的30V‑60V高电压，控制模块通过双三极管MMDT5551的输出信号控制模拟开关的开启与关闭的方式，将升压模块得到的高电压按照模拟开关开的开启与关闭的频率进行输出，数字控制部分的单片机产生3.3V的PWM方波信号通过Drive‑fast端口输入，控制双三极管MMDT5551模拟开关的开启与关断，使升压部分输入的高压信号转变为相同频率和占空比一致的高压PWM波。
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公开(公告)号：CN113823626B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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公开(公告)号：CN115765643A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211341062.X
申请日：2022-10-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种低温漂高精度热流变换电路，其特征在于包括：采用同一基片参数一致的两个运放U1A和U1B，其温漂接近，设置两运放为反向，抵消彼此的失调电压及温漂的影响的方式，先构成一个全差分放大电路，把热流传感器小信号放大；放大的信号然后经另外两个同一基片的运放U2A和U2B构成加法偏置电路，得到偏置可调的低温漂低失调的高精度电压信号V0。本发明的有益效果是，降低输出失调电压，进而减小输入失调电压及温漂对热流采集精度的影响，提高热流采样精度。
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