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公开(公告)号：CN105259372B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510664521.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器；微处理器控制数模转换器与继电器，向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压，产生静电力，模拟外界加速度，所述四个电容数字转换器由微处理器控制，并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值，再由微处理器计算得出电容变化量，实现参数测试的目的，并判断出电容式加速度计的品质。
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公开(公告)号：CN105609517A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610026416.X
申请日：2016-01-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14632 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开一种背照式图像传感器，包括图像传感器芯片与支撑基板，图像传感器芯片正面嵌设有焊盘，图像传感器芯片的正面与支撑基板的顶面分别覆有绝缘层，图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接；图像传感器芯片的厚度为15～20um；图像传感器芯片的背面设有P型注入层，图像传感器芯片的背面设有抗反射膜层，抗反射膜层的上表面设有释放出光感应元件区的反光膜层，图像传感器芯片背面还设有使焊盘释放的开窗；图像传感器芯片与支撑基板通过键合层键合连接，具有良好的热匹配性和可靠性；通过对图像传感器芯片背面的处理，提高量子效率；本发明整体结构简单、应力低、可靠性高、焊盘释放结构简单，后续封装可采用常规的引线键合工艺实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103532394A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505338.8
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开一种连续可调的智能电源模块，包括单片机(2)，单片机(2)外围设有与其相连的整流滤波稳压电路(1)、数字键盘(3)、液晶显示屏(4)与可编程数字电位器(R2)；所述电源模块还包括由DC-DC转换器(5)为主体的升压反压转换电路(6)，整流滤波稳压电路(1)的输出作为DC-DC转换器(5)的输入，DC-DC转换器(5)还与可编程数字电位器(R2)相连；升压反压转换电路(6)的正输出端与负输出端即为所述电源模块的输出，升压反压转换电路(6)的负输出端与可编程数字电位器(R2)之间还连接有固定电阻(R1)；将整流滤波后的交流电压进行升压与负压处理，采用单片机(2)与可编程数字电位器(R2)对输出电压进行智能调节，实现连续可调的正电压与负电压输出。
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公开(公告)号：CN105259372A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510664521.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统，包括微处理器以及与微处理器相连的上位机，四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器；微处理器控制数模转换器与继电器，向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压，产生静电力，模拟外界加速度，所述四个电容数字转换器由微处理器控制，并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值，再由微处理器计算得出电容变化量，实现参数测试的目的，并判断出电容式加速度计的品质。
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公开(公告)号：CN103531703A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505668.7
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体；高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。
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公开(公告)号：CN105514135A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610026413.6
申请日：2016-01-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合；c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理，去除图像传感器芯片的背面衬底；d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层；e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层；f)在抗反射膜层上制备反光膜层；g)释放图像传感器芯片上的光感应元件；h)释放图像传感器芯片上的焊盘，得到最终的背照式图像传感器；本发明工艺简单易于实现，可适用于批量生产，采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘，使得后序封装中的引线键合工艺实现简单，节省了封装成本。
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公开(公告)号：CN101420217A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810159233.0
申请日：2008-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 延时器，涉及一种集成电路元器件，包括一个由延迟单元串联构成的压控延迟线，以及一个用于控制压控延迟线电压的延迟锁相环电路。其中，压控延迟线是产生信号延迟的主要部件，通过延迟锁相环电路控制逻辑门电源电压，达到精确控制逻辑门的延时时间的目的。本发明具有体积小，延迟时间范围宽、功耗低、全温稳定性高、受电压影响小、精度高等特性，可广泛应用于通信设备、医疗电子、自动测试设备、PC外围器件等领域。
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