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公开(公告)号：CN103575486B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310589124.3
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01M7/00
Abstract: 本发明涉及一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法，包括矩形的夹具体（2），其特征在于：在夹具体的上表面设有承载裸芯片的平面（2a）；在夹具体侧面设有一组固定裸芯片的凹槽（2b）；在夹具体的下表面设有与载物台（1）配合的支撑平面（2c）。该方法包活：在夹具体的承载平面上或凹槽内抹胶（3）；在夹具体抹胶的表面粘接裸芯片（4）；裸芯片粘接在夹具体上后进行胶的固化。本发明的优点：本装置结构简单，易于加工，试验效果好；在使用本方法进行冲击或振动试验时，能有效保护裸芯片，使其不受污染和损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169105A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310196813.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 扬州大学 , 华东光电集成器件研究所 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法，堆叠结构将硅片直立起来，利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连，硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接，如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构，散热效果明显更好，各芯片的温度更均匀，没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。
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公开(公告)号：CN110705139A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793525.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开一种基于多应力耦合下电子设备可靠性评估方法，包括以下步骤：S1、确定电-热-力场耦合下电子设备的失效模式与失效机理；S2、根据步骤S1确定的电子设备失效模式与失效机理，建立多应力耦合下电子设备可靠性物理模型；S3、根据可靠性物理模型，对电子设备进行可靠性仿真分析；S4、根据步骤S3确定的可靠性薄弱环节，对电子设备的可靠性指标进行评估；本方法并不依托可靠性寿命数据，而是从电子设备的工艺参数信息、结构材料信息、工作和使用环境应力情况出发进行分析，可有效避免寿命数据不足的难点，减少成本；可相对准确地找出电子设备的可靠性薄弱环节，进而得到与实际情况更为符合的分析结果。
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公开(公告)号：CN103575486A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310589124.3
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01M7/00
Abstract: 本发明涉及一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法，包括矩形的夹具体（2），其特征在于：在夹具体的上表面设有承载裸芯片的平面（2a）；在夹具体侧面设有一组固定裸芯片的凹槽（2b）；在夹具体的下表面设有与载物台（1）配合的支撑平面（2c）。该方法包活：在夹具体的承载平面上或凹槽内抹胶（3）；在夹具体抹胶的表面粘接裸芯片（4）；裸芯片粘接在夹具体上后进行胶的固化。本发明的优点：本装置结构简单，易于加工，试验效果好；在使用本方法进行冲击或振动试验时，能有效保护裸芯片，使其不受污染和损伤。
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公开(公告)号：CN103529329B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310505667.2
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种片式电容器多位老化装置，包括PCB底座(1)，PCB底座(1)内印制有正极引线(2)与负极引线(3)，PCB底座(1)顶面平行间隔设有一组表面镀有导电膜的PCB底板(4)，PCB底板(4)顶面设有与其垂直的限位板(6)，限位板(6)端面设有一组固定片式电容器(16)的限位孔(10)；限位板(6)上方设有带导电压针(8)的金属压条(7)；使用限位板(6)来批量固定片式电容器(16)，利用金属压条(7)将片式电容器(16)的正极与正极引线(2)相连，利用PCB底板(4)上的导电膜使片式电容器(16)的负极与负极引线(3)相连，再通过正极引线(2)与负极引线(3)施加电压以及后续的加温工艺对片式电容器(16)进行老化试验，结构简单操作方便且不会对片式电容器(16)造成损伤。
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公开(公告)号：CN103529329A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505667.2
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种片式电容器多位老化装置，包括PCB底座(1)，PCB底座(1)内印制有正极引线(2)与负极引线(3)，PCB底座(1)顶面平行间隔设有一组表面镀有导电膜的PCB底板(4)，PCB底板(4)顶面设有与其垂直的限位板(6)，限位板(6)端面设有一组固定片式电容器(16)的限位孔(10)；限位板(6)上方设有带导电压针(8)的金属压条(7)；使用限位板(6)来批量固定片式电容器(16)，利用金属压条(7)将片式电容器(16)的正极与正极引线(2)相连，利用PCB底板(4)上的导电膜使片式电容器(16)的负极与负极引线(3)相连，再通过正极引线(2)与负极引线(3)施加电压以及后续的加温工艺对片式电容器(16)进行老化试验，结构简单操作方便且不会对片式电容器(16)造成损伤。
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