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公开(公告)号：CN112271233A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024274.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构的制备方法，包括以下步骤：取基片、清洗基片、P+光刻、注入、P+主扩、外延层生长、初始氧化、P阱光刻、注入与推阱、N环光刻与注入、P隔离光刻、注入与推阱、N‑光敏区光刻、注入与氧化、孔光刻、正面金属化、背面减薄、沉积抗反射膜、背面金属化，得到硅基背照PIN器件结构；该方法通过背照PIN结构植球压焊方式将PIN光电探测器组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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公开(公告)号：CN112271229B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011024275.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/105 , H01L29/868 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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公开(公告)号：CN115520831A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211188875.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种用于测试硅硅键合导通电阻的结构及其制备方法，它包括取第一SOI硅片和第二SOI硅片，在第一SOI硅片的顶层硅上制作与第二SOI硅片键合连接的凸台、与凸台连接的下结构层硅引线；在第一SOI硅片的顶层硅表面生成保护氧化层，去除凸台表面的氧化层；将第二SOI顶层硅与凸台表面直接键合形成上下层；去除第二SOI硅衬底，露出顶层硅，在该层表面制作金属PAD点和上结构层硅引线。本发明具有步骤简便，立体交叉结构简单明了，适用于SOI体硅MEMS工艺的硅‑硅键合质量无损伤评价。
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公开(公告)号：CN112271229A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024275.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/105 , H01L29/868 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117191228A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311099538.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，包括由上到下依次叠置的压力感应结构层、固定支撑层、纵向应力缓冲层和连接板；压力感应结构层包括在表面设置的一组压阻电桥结构单元阵列，每个压阻电桥结构单元下侧设有背腔、周侧设有第一环槽；固定支撑层上设有与每个背腔对应连通的第一通孔；纵向应力缓冲层包括在下表面与压阻电桥结构单元相对应的凸台，每个凸台上设有与每个第一通孔对应连通的第二通孔，该组凸台表面与连接板连接形成点阵接触连接；连接板上设有与每个第二通孔对应连通的第三通孔。本发明实现了外界应力的横、纵向缓冲，并且该结构不显著增加MEMS压力传感器阵列芯片的工艺加工难度，可灵活应用，易于实现。
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公开(公告)号：CN112271233B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011024274.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构的制备方法，包括以下步骤：取基片、清洗基片、P+光刻、注入、P+主扩、外延层生长、初始氧化、P阱光刻、注入与推阱、N环光刻与注入、P隔离光刻、注入与推阱、N‑光敏区光刻、注入与氧化、孔光刻、正面金属化、背面减薄、沉积抗反射膜、背面金属化，得到硅基背照PIN器件结构；该方法通过背照PIN结构植球压焊方式将PIN光电探测器组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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公开(公告)号：CN115626606A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211341930.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。
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公开(公告)号：CN112304569A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011024216.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种EMCCD制冷测试装置，其特征在于：它包括外罩（1），在外罩（1）内设有测试架（2），在测试架（2）上的外罩（1）上连接有光源（2），在外罩（1）上还通入有与测试架（2）对应配合的冷却水进管（3）和冷却水出管（4），在冷却水进管（3）上设有控制阀（3a）,在外罩（1）外侧还设有与测试架（2）、光源（2）以及控制阀（3a）形成电信号连接配合的数据处理控制单元（5）。本发明结构简单、使用方便、测试效果好，能对EMCCD进行稳定低温的测试。
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公开(公告)号：CN112271133A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026789.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/027 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种基于三层胶的金属剥离方法，包括以下步骤：选择基片并清洗；在基片顶面旋涂第一光刻胶层；根据金属版图图形，在第一光刻胶层上进行图形曝光、显影；旋涂LOR胶层；在LOR胶层顶面旋涂第二光刻胶层；根据金属版图图形，在第二光刻胶层上进行图形曝光、显影；同时显影去除相对应的LOR胶层区域，使基片顶面的图形区域暴露；第二光刻胶层的图形内切小于第一光刻胶层的图形内切；溅射金属Pt，在基片顶面的图形区域得到金属图形；采用超声浸泡和剥离工艺，对剩余的第一光刻胶层、LOR胶层与第二光刻胶层同时剥离；该方法能够用于高精度线宽控制的金属图形化，提高金属线宽的均匀性，提高良率，且工艺简单。
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