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公开(公告)号：CN113670287B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111110197.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5691
Abstract: 本发明提供一种MEMS半球陀螺仪及其制备方法，它包括由谐振器主体、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底组成的一种半球谐振陀螺仪，通过在谐振器主体上依次设置绝缘沟槽、半球槽、多晶硅谐振子、玻璃盖板、玻璃衬底以及金属pad点。本发明具有结构简单，封装测试方便的优点，利用正反面晶圆级键合工艺、poly‑TSV刻蚀填充工艺、吸气剂沉积工艺确保键合后的芯片长时间处在高真空工作环境，提高陀螺品质因数，有利于大批量、低成本微半球陀螺制备。
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公开(公告)号：CN106241731A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610715431.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；S2）制备衬底容腔，在衬底容腔上制备第二氧化层；S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容式MEMS器件的电容间隙；S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容式MEMS器件；利用高温形成的氧化层厚度控制电容间隙的厚度，由于高温形成的氧化层厚度在片内及片间均有良好的一致性，因此，可以保证平板电容式MEMS器件性能、片内及片间的一致性与重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN113790835B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111110194.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1)选取第一硅片(1)；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6)压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN113800466A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111111330.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。
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公开(公告)号：CN117383507A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311556109.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114420556A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210069632.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。
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公开(公告)号：CN114295262A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111479343.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种岛膜结构硅压阻传感器装置，包括衬底（1），在衬底（1）上设有压力敏感层（2），在衬底（1）上设有第一槽体（3），在压力敏感层（2）底部设有与第一槽体（3）连通的第二槽体（4），在第二槽体（4）内设有岛状结构（5），在压力敏感层（2）上设有氧化层（6），在压力敏感层（2）设有一组向上穿透氧化层（6）的盲孔（7），在盲孔（7）内设有压敏电阻（8），在氧化层（6）均布有一组焊盘（10），在氧化层（6）上设有连通焊盘（10）和压敏电阻（8）引线（9）。本发明基于小尺寸敏感层和E型岛膜结构结合，很好的兼顾芯片高灵敏度和线性度性能，实现传感器对敏感芯片小尺寸、高灵敏度,高精度、高可靠的要求。
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公开(公告)号：CN106405151A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610715395.2
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明公开一种低应力Z轴加速度计的制备方法，包括制备下衬底层、下固定电极层、可动结构层、上衬底层与上固定电极层；下衬底层包含衬底、衬底隔离腔、衬底支撑锚点以及衬底中心锚点；下固定电极层包含下固定电极、下固定电极层中心锚点与下固定电极层支撑框架；可动结构层包含可动电极、可动结构层中心锚点以及可动结构层支撑框架；上固定电极层及上衬底层与下固定电极层及下衬底层形成对称，得到Z轴加速度计；本发明采用常规工艺方法，即可实现将固定电极与衬底之间形成一定的间隙，达到降低热应力对器件影响的目的；无需开释放孔即可实现隔离，不会减小感应电容面积，厚度控制精确，实现上下均分布带有隔离间隙的固定电极的高灵敏度器件。
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公开(公告)号：CN118583334A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410815487.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构，硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成，在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb，在电桥的输出端分别接入低温度系数电阻R以及正温度系数热敏电阻Rp，以此补偿灵敏度温度漂移本发明提高压力传感器的测量精度，并且在电桥输入端增加可调电压模块，可对电桥输出量进行调整，弥补输出损耗，硬件电路结构简单，补偿效果显著且传感器输出损耗小。
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公开(公告)号：CN115626606A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211341930.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。
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