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公开(公告)号：CN104355285B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN105137121A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510661783.2
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种低应力加速度计的制备方法，包括衬底层（13）、电极结构层（1）、可动结构层（14）以及盖帽层（18），包括以下步骤：1，衬底（13）的制作，在双抛硅片光刻及刻蚀形成悬浮电极活动浅腔（2）、衬底层锚点（15）、防粘连凸点（12）；2、SOI硅片与衬底层（13）键合，光刻和刻蚀形成浅腔（11）、中心锚点（5）、防粘连凸点（8）、悬浮电极（4）；3、将SOI硅片与电极结构层键合，经光刻和刻蚀后形成可动结构（10）、可动层锚点（22）;4、盖帽（8）封装。本发明的优点是：热应力对电极结构的影响大幅下降，保证了固支悬浮电极结构的一致性以及重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102963865B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
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公开(公告)号：CN104192790A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410465729.6
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 一种MEMS器件热应力隔离结构，a、隔热结构体（1）四角分别设有一个凸起的键合面（3），隔热结构体（1）中部形成贯通的空腔（2），空腔中设有纵横交错并且贯通的散热槽（1b）；b、隔热结构体（1）四角的键合面（3）通过硅硅键合工艺与MEMS器件的衬底（4）连接，隔热结构体的空腔（2）与MEMS器件中的可动结构（6）对应配合。本发明的优点在于：该热隔离结构简单、易于加工，制作完成后直接与器件层键合即可，大大提高了封装产品的可靠性和器件性能。在封装中，与直接贴片到管壳底部相比，MEMS器件底面键合热隔离结构再贴到管壳底部封装热应力可大大减小。
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公开(公告)号：CN102963865A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340681.7
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅硅键合表面沾污的处理方法，包括以下步骤：a、制作一个与待键合硅片形状相适应的硅垫片，硅垫片表面沉积一层氮化硅薄膜；b、将硅垫片沉积氮化硅的一面与待键合硅片对准贴紧，放置于键合夹具中固定；c、将硅垫片以及待键合硅片进行预键合，预键合后揭下硅垫片，d、将预键合后的硅片进行烧结键合。本发明具有如下优点：（1）本发明不需要化学和物理手段去除，可以提高MEMS器件可动结构的完整性；（2）本发明简单实用，使用方法易于操作，适于生产加工中广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117411439A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311404381.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供了一种高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法，包括同轴腔体内通过调节旋钮、馈电电极与金属杆来调节并固定二极管的位置；设置与同轴腔体相连且垂直的方形波导腔体，方形波导腔体一端设置波导口作为振荡源的输出端口，另一端在振荡源内部，设置短路活塞与调节旋钮，用于调节短路活塞位置用于改变方形波导腔体大小，在中心工作频率下，与二极管形成良好的阻抗匹配，使其产生谐振；设置通过2个圆形耦合孔与方形波导腔体相连的圆柱形高Q值稳频腔体，稳频腔体内设置活塞与稳频腔旋钮，稳频腔旋钮上设有螺纹通过旋转与弹簧弹力作用使活塞在稳频腔内滑动，通过活塞位置变化对稳频腔大小进行调节，通过高Q值稳频腔牵引实现振荡源输出频率的稳定。
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公开(公告)号：CN117285001A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311560694.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光MEMS器件结构及其制备方法，它包括由下到上依次叠设键合的衬底结构层、梳齿结构层以及镜面结构层；衬底结构层上设有第一金属键合区，在第一金属键合区内侧设有深腔；梳齿结构层包括与镜面结构层键合连接的第二金属键合区、第三金属键合区，以及梳齿结构和与梳齿结构连接的金属焊点，在梳齿结构表面设有压敏电阻结构；镜面结构层包括镜面框和位于镜面框内侧的镜面结构，镜面框通过第二金属键合区与梳齿结构层连接，镜面结构下端面连接支撑柱，支撑柱通过第三金属键合区与梳齿结构层连接。本发明的顶伞式镜面结构可以提高镜面占空比，缩小芯片面积，并且通过集成制作压敏电阻结构，可以实现微光学镜面的精确驱动控制和角度解算。
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公开(公告)号：CN114132892A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479932.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MOEMS微镜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤取第一SOI硅片（A）在第一SOI硅片（A）上设有槽体（2），在槽体（2）内形成氧化层（3），在第一SOI硅片（A）上键合有第二SOI硅片（B），在第二顶层硅（B1）上形成第二梳齿结构（4），在第二顶层硅（B1）上键合有双抛硅片（C），在取第一SOI硅片（A）上第一梳齿结构（5），除刻蚀保护氧化层（3），在第一顶层硅（A1）上设置有焊盘金属层（7）和镜面金属（8）。本发明步骤简易、制备方便，保证器件性能精度和一致性，可以实现MOEMS微镜的高良率批量生产。
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公开(公告)号：CN114132888A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN112265954A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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