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公开(公告)号：CN117411439A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311404381.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供了一种高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法，包括同轴腔体内通过调节旋钮、馈电电极与金属杆来调节并固定二极管的位置；设置与同轴腔体相连且垂直的方形波导腔体，方形波导腔体一端设置波导口作为振荡源的输出端口，另一端在振荡源内部，设置短路活塞与调节旋钮，用于调节短路活塞位置用于改变方形波导腔体大小，在中心工作频率下，与二极管形成良好的阻抗匹配，使其产生谐振；设置通过2个圆形耦合孔与方形波导腔体相连的圆柱形高Q值稳频腔体，稳频腔体内设置活塞与稳频腔旋钮，稳频腔旋钮上设有螺纹通过旋转与弹簧弹力作用使活塞在稳频腔内滑动，通过活塞位置变化对稳频腔大小进行调节，通过高Q值稳频腔牵引实现振荡源输出频率的稳定。
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公开(公告)号：CN113823890B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111110310.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种高频大功率IMPATT管电参数调试装置，包括安装板，安装板上设有一组销安装孔和波导孔，销安装孔连接定位销；设置一个调节座，调节座一面设有与定位销配合的定位孔以及与工装件外轮廓配合的定位槽，另一面连接松紧度可调的夹持装置，夹持装置设有与波导孔位置对应的贯穿通孔槽，通孔槽内配合短路活塞；调节座通过定位销和定位槽定位工装件，再与安装板可拆卸固定连接，工装件的激励源馈线与激励源模块电学连接。本发明构简单、易于装配，结合短路活塞的机械调谐与激励源馈电的电调谐共同作用，实现IMPATT二极管的高频功率输出；通过调节夹持装置的松紧度，实现机械调谐粗细调节，整体操作简单、易行，提高调试效率。
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公开(公告)号：CN113823890A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111110310.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种高频大功率IMPATT管电参数调试装置，包括安装板，安装板上设有一组销安装孔和波导孔，销安装孔连接定位销；设置一个调节座，调节座一面设有与定位销配合的定位孔以及与工装件外轮廓配合的定位槽，另一面连接松紧度可调的夹持装置，夹持装置设有与波导孔位置对应的贯穿通孔槽，通孔槽内配合短路活塞；调节座通过定位销和定位槽定位工装件，再与安装板可拆卸固定连接，工装件的激励源馈线与激励源模块电学连接。本发明构简单、易于装配，结合短路活塞的机械调谐与激励源馈电的电调谐共同作用，实现IMPATT二极管的高频功率输出；通过调节夹持装置的松紧度，实现机械调谐粗细调节，整体操作简单、易行，提高调试效率。
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公开(公告)号：CN118763376A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410984898.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种毫米波空间功率合成装置，金属材料制成的主板（1）和盖板（2），主板的一侧设有波导进口通道（3）和垂直的横向通道（4），横向通道两端设置第一纵向通道（5）；在主板上设有两道第二纵向通道（10），主板另一侧设有波导出口通道（11）；在第一纵向通道与相邻的第二纵向通道中分别连接第一基板（7）及波导微波放大器F；在两个第二纵向通道之间分别连接一个第二基板（9），第二基板上对称设置两个波导微波放大器F，盖板中也是设有与主板中相同通道，通过定位螺栓（12）定位连接将盖板与主板合为一体。本发明有益效果是：传输结构空间功率合成装置传输损耗较低，实现多路毫米波信号的放大合成输出，空间功率矢量合成效率较高。
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公开(公告)号：CN112635575B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110041251.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/864 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314038A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515862.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/10 , H01P1/00 , H05K1/11 , H05K1/02 , H01L23/04 , H01L23/12 , H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种V波段器件的表贴封装端口与气密封装，它包括基板（1），其特征在于：在基板（1）上设有两层接地金属层（5），在其中一个接地金属层（5）上设有一组芯片（2），在基板（1）内设有一组金属填充柱（6），在每个芯片（2）一侧均连通有共面波导（7）构成V波段端口，在两个芯片（2）通过第二共面波导（8）进行连通，在基板（1）上还连接有上盖。本发明结构简单、有使用方便，可批量生产，可靠性高，适应性强等优点。
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公开(公告)号：CN116053132A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211342034.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/864
Abstract: 本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。
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公开(公告)号：CN118899642A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410984897.X
申请日：2024-07-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种毫米波/亚毫米波空间功率合成方法，毫米波/亚毫米波信号进入一级波导功分器（1）的输入端,通过第一波导‑微带探针放大装置（7）将毫米波/亚毫米波信号分为两路信号传输至二级功分器（4）中，二级波导功分器中设有多路第二波导‑微带探针放大装置（7a），每一路毫米波信号通过第二波导‑微带探针放大装置放大传输至链式波导合路器（2）中，在链式波导合路器中放大合成的毫米波信号经链式波导合路器（2）输出端口输出。本发明有益效果是：本发明空间功率合成方法输出波导端口部分中心间距为n倍波长，解决了功率合成中多路信号相位差异造成的合成效率低的问题，空间功率矢量合成效率较高。
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公开(公告)号：CN117330871A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328671.6
申请日：2023-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种毫米波表贴标准波导器件信号测试装置，其特征在于它包括测试组件和校准组件。本发明测试装置体积较小，较为简单，应用更为方便；避免了表贴标准波导毫米波器件测试过程中安装复杂，与测试装置组装困难等问题；避免了表贴标准波导毫米波器件因采用标准波导端口，校准困难，测试不准确问题；测试装置可对表贴标准波导毫米波器件进行无损化测试，测试过程安全可靠。
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公开(公告)号：CN112635575A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110041251.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/864 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。
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