公开(公告)号：CN117411439A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311404381.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李文翰 ,  史一明 ,  李泽瑞 ,  潘结斌 ,  陈婧瑶 ,  王文婧 ,  郁兆华

IPC: H03B28/00 ,  H01P7/06

Abstract: 本发明提供了一种高频大功率IMPATT管振荡源的实现方法，包括同轴腔体内通过调节旋钮、馈电电极与金属杆来调节并固定二极管的位置；设置与同轴腔体相连且垂直的方形波导腔体，方形波导腔体一端设置波导口作为振荡源的输出端口，另一端在振荡源内部，设置短路活塞与调节旋钮，用于调节短路活塞位置用于改变方形波导腔体大小，在中心工作频率下，与二极管形成良好的阻抗匹配，使其产生谐振；设置通过2个圆形耦合孔与方形波导腔体相连的圆柱形高Q值稳频腔体，稳频腔体内设置活塞与稳频腔旋钮，稳频腔旋钮上设有螺纹通过旋转与弹簧弹力作用使活塞在稳频腔内滑动，通过活塞位置变化对稳频腔大小进行调节，通过高Q值稳频腔牵引实现振荡源输出频率的稳定。

公开(公告)号：CN116053132A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211342034.X

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李文翰 ,  廖启超 ,  潘结斌 ,  陈婧瑶 ,  史一明 ,  李泽瑞 ,  王文婧 ,  郁兆华

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/864

Abstract: 本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。