公开(公告)号：CN112271145A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011024207.4

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 廖启超 ,  宋宁 ,  梅东健 ,  邵灿 ,  唐红跃

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种注入机离子源弧室的底板，它包括注入机离子源弧室（3），在注入机离子源弧室（3）内设有底板（1），其特征在于：在底板（1）的上、下表面上分别设有凹槽（2）。本发明结构简单、使用方便，能有效的提高对杂质气体的阻力，进而降低气体流速，能有效暂存弧室电离杂质气体所产生的附着物，减少弧室内部打火（即尖端放电），进而提升底板的使用寿命。

公开(公告)号：CN116053132A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211342034.X

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李文翰 ,  廖启超 ,  潘结斌 ,  陈婧瑶 ,  史一明 ,  李泽瑞 ,  王文婧 ,  郁兆华

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/864

Abstract: 本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。