公开(公告)号：CN112271145A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011024207.4

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 廖启超 ,  宋宁 ,  梅东健 ,  邵灿 ,  唐红跃

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种注入机离子源弧室的底板，它包括注入机离子源弧室（3），在注入机离子源弧室（3）内设有底板（1），其特征在于：在底板（1）的上、下表面上分别设有凹槽（2）。本发明结构简单、使用方便，能有效的提高对杂质气体的阻力，进而降低气体流速，能有效暂存弧室电离杂质气体所产生的附着物，减少弧室内部打火（即尖端放电），进而提升底板的使用寿命。

公开(公告)号：CN117198998A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311106467.X

申请日：2023-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 ,  赵建强 ,  宋宁 ,  孙廷军 ,  温煌秀 ,  于洪洲

IPC: H01L21/8232 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明涉及一种基于JFET器件的电流监测单元集成电路制造方法，在硅衬底（1）上生长硅外延层（4），硅外延层的一侧设有P型埋层（3）、另一侧设有P沟道区（16）；P型埋层中设有P阱（5）、P型场区（8）、NLDD2区（13）、轻掺杂区域NLDD1区（14）、PSUB区域（15），P沟道区中设有栅区（17）、源漏区（18）；二氧化硅层设有金属互联结构（19）与对应的器件连接。本发明在NMOSFET、PJFET器件下方均加工有P埋层，P阱的同阶段形成P隔离环，P埋层与P隔离环共同包围有源器件NMOSFET、PJFET，充分抑制寄生NPN管效应，消除寄生NPN管对电路功能的影响。

公开(公告)号：CN118969707A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410976445.7

申请日：2024-07-20

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 唐红跃 ,  宋宁 ,  李建江 ,  孙凌宇

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种晶圆传片夹持装置，其特征在于：它包括主板体（1），在主板体（1）上设有第一槽体（5），在第一槽体（5）的一端端部设有斜坡（11），在斜坡（11）一侧的第一槽体（5）槽壁上依次设有平面段（12）和斜面段（15），在主板体（1）上连接有可遮盖一部分第一槽体（5）的盖板（2），在盖板（2）上设有弧形台阶段（22），使得弧形台阶段（22）与第一槽体（5）之间形成晶圆传片的插槽（3）。本发明结构简单，使用方便，在确保了晶圆传片姿态稳定的前提下，提高了离子注入时整个工作效率。

公开(公告)号：CN117727783A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311560690.1

申请日：2023-11-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张海峰 ,  宋宁 ,  朱小燕 ,  刘中梦雪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻MOSFET器件结构，属于半导体集成电路技术领域。它包括在MOSFET器件源胞周侧的衬底外延层上设有若干个包围MOSFET器件的环形导电沟道，每个环形导电沟通均包括在衬底的外延层上依次制备的栅氧化层和多晶硅栅，在外延层中通过离子注入形成阱区结构，阱区结构中通过离子注入及推进形成器件的有源区和高掺杂区，有源区和高掺杂区相互接壤，从有源区引出金属层，在衬底背面设有漏端。本发明基于成熟的MOSFET器件结构，通过环形导电沟道结构的引入，不改变工艺制备技术，提高器件的有效宽长比，降低器件的导通电阻，进而有利于降低器件的功耗，同时保证器件的击穿电压，栅漏电等参数满足要求。