-
公开(公告)号：CN103021843A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210425954.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。
-
公开(公告)号：CN104198909B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410465727.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法，包含以下步骤：a）将台面雪崩二级管构成反向工作电气回路，并在回路中串联电流表，台面雪崩二极管的两端分别并联电压表与电容表；b）确定台面雪崩二极管的反向击穿电压VB；c）对台面雪崩二极管施加不同的反向工作电压；d）读取反向工作电压为Vn时的电容值Cn；e）重复步骤c，读取反向工作电压为Vn+1时的电容值Cn+1；f）根据公式计算台面雪崩二极管管芯面积，由于台面雪崩二极管在反向工作状态下，耗尽层势垒电容可用一定面积耗尽层内的电荷增量与反向偏压变化量的比值来表示，所以根据公式就可以进一步计算出台面雪崩二极管管芯的有源层面积，此方法测量准确，能够消除人为因素带来的误差。
-
公开(公告)号：CN103531510A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505350.9
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , G03F9/00
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/682
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。
-
公开(公告)号：CN103529240A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506796.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN102862947A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635575B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110041251.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/864 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
-
公开(公告)号：CN103021843B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210425954.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。
-
公开(公告)号：CN102998037B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.026 seconds)
