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公开(公告)号：CN102967394A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340680.2
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械领域中的一种对称电容式压力传感器，采用MEMS体硅工艺进行加工制作，其特征在于包括：硅片制作的基体（6），基体（6）两面分别设有完全对称的检测电容腔（3）和参考电容腔（4），基体（6）背面键合连接硅盖板（5），基体（6）正面键合连接由SOI硅片制成的压力敏感膜（1），压力敏感膜（1）一侧的基体上设有电极（7）。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102998037B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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公开(公告)号：CN103594445B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310588210.2
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN103594445A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310588210.2
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN102998037A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210340683.6
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离压阻式压力传感器，包括SOI硅片以及键合的下盖板（6），SOI硅片的顶层硅（5c）中设置的压敏体电阻（1）周围设有隔离介质（2a），顶层硅（5c）表面设有氧化隔离层（2），其表面设有铝电极（4）与对应的压敏体电阻（1）连接；SOI硅片的底层硅（5）中设有空腔及硅岛（5a）。本发明有效的解决了传统压阻式压力传感器灵敏度、线性度、可靠性低和电隔离差的难题，同时采用顶层硅作为压敏体电阻的厚度有效的保证了后期工艺高温环境对器件性能的影响，保证了器件性能的一致性和稳定性，采用硅硅键合等工艺，避免了新材料引入的应力，实现器件的高性能，该结构加工工艺易于控制，保证了结构加工的一致性。
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