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公开(公告)号：CN112271135A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN116121822A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211515476.X
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种适用于旋转喷镀的双面电镀工装，它包括配合连接的下环体、上环体和上盖，在下环体上设有带有一组下导电梳齿片的导电环，在上环体上设有带有一组上导电梳齿片的上导电环，在上环体上还均布有一组与上盖接触的支撑筒，在支撑筒内穿设有与上导电环连接的导电柱，在上盖内置有导电盘，在导电盘上均布有一组与导电柱对应配合的导电引柱，在导电片上还设有伸出上盖的导电轴，在上盖上均布有一组穿透上盖和导电盘的电镀液交换孔。本发明结构简单、使用方便，在倾斜旋转喷镀电镀工艺腔体结构基础上，实现了晶圆双面电镀，具有双面电镀速率差异小，均匀性高，操作简单，适用性强等优点。
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公开(公告)号：CN110531242A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN114122243A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111479920.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片，其特征在于：它包括硅衬底（1），在硅衬底（1）上设有支撑层（2），在支撑层（2）上设有一组热电偶层，在热电偶层与支撑层（2）上覆盖有钝化层（6），在硅衬底（1）上还设有空腔（12），相邻的热电偶层之间通过引线（11）连通。本发明具有结构简单、制造方便，在保证芯片响应灵敏度的同时有效减小了芯片和红外吸收支撑薄膜的面积，使红外吸收支撑薄膜的刚度提高，从而提高芯片整体可靠性。
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公开(公告)号：CN110531242B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106405362B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201610722805.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
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公开(公告)号：CN112271135B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN106405362A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610722805.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
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公开(公告)号：CN103594445B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310588210.2
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。
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